三星制定DRAM發展藍圖 15納米是制程微縮極限

　　三星電子為了鞏固存儲器霸業，制定 DRAM 發展藍圖，擘劃制程微縮進度。業界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業者追上。

　　韓媒 etnews 18 日報導，業界消息稱，三星去年開始量產 18 納米 DRAM，目前正研發 17 納米 DRAM，預定今年底完成開發、明年量產。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發小組，目標最快 2020 年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020 年量產時間可能延后。

　　三星從 20 納米制程(28→25→20)，轉進 10 納米制程(18→17)，縮小線寬(Line-width)的速度明顯放緩。三星尚未成立 15 納米制程以下的研發團隊，因為由此開始，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯，需要開發新的材質。

　　三星設備解決方案部門的半導體實驗室人員 Jung Eun-seung 說，為了繼續縮小線寬，必須開發與當前不同的新材質，并提高制程穩定性，以便進入量產。業界人士估計，15 納米或許是制程微縮的極限，未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對手差距，并擔憂中國業者急起直追，趕上三星。