西數超車三星電子或點燃NAND價格戰

　　全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產淹沒市場，重創NAND價格。

　　巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱，當前三星在業界握有主導權，將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了閃迪)在第四季末的生產情況，決定64層3D NAND的增產速度。要是三星認為WD技術趕上，可能會快速增加3D NAND產能。

　　報告指出，反諷的是，近期內東芝/閃迪64層技術發展緩慢，對業界較為有利。倘若WD迅速增產64層3D NAND，三星也會擴產迎擊，這么一來，WD可能會流失企業固態硬盤(SSD)市占，SSD是NAND利潤最高的市場，而且業界的價格壓力也會大增。如今WD進退不得，不能放慢速度，以免對手追上，但是發展太快，又可能導致三星強力反擊。

　　三星是第一家開發出3D NAND Flash業者，技術遙遙領先，不過據傳日廠東芝(Toshiba)砸重金研發后，情勢一夕驟變，東芝即將超車三星，成為首家生產64層3D NAND Flash的廠商。

　　BusinessKorea 7月20日報道，2013年三星電子率先制造3D NAND，東芝直到今年春天才加入生產行列，不過卻以光速追上對手，計劃今年第三季生產全球首款的64層3D NAND Flash，比三星快了一季。

　　64層3D NAND Flash極為重要，業界認為64層3D NAND Flash的出現，代表平面NAND Flash時代畫上句點。3D NAND Flash采垂直堆疊，可提高存儲器容量和速度，表現優于平面NAND Flash。

　　廠商爭相投資3D NAND Flash，令人憂心忡忡。據傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、淪為供給過剩。

　　BusinessKorea 6日報道，NAND需求爆發，據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月，改在明年三、四月開始生產第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時三星3D NAND產能將從當前水準提高兩倍、至32萬片。

　　SK海力士也準備生產3D NAND，仁川廠M14線無塵室正在裝設儀器，估計第二代36層3D NAND可在今年第二季出貨、第三季量產。第四季將加碼投資第三代48層3D NAND，估計未來3D NAND將占SK海力士產出的一半。