三星3D V-NAND固態盤加速企業閃存進化

三星最新的產品是一種面向企業級應用、高可靠的固態盤存儲--V-NAND固態盤。最新用于固態盤V-NAND技術帶來性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需的可靠性。

V-NAND固態盤有480GB和960GB兩個容量點，960GB容量的固態盤提供最高性能，采用64個MLC 3D V-NAND閃存讓連續隨機讀速度提高了20%。

新推出的V-NAND固態盤還提供了35K擦除周期，2.5英寸規格，為服務器制造商提供更高的設計靈活性和可擴展性。

三星電子半導體研發中心執行副總裁E.S. Jung在最近的閃存內存峰會(Flash Memory SUmmit)上表示：“三星的3D V-NAND克服了將制程工藝縮小到10納米以下的難以逾越的障礙，為全球客戶提供最高密度的可靠性，性能提高20%，能耗降低40%。”

“我們將繼續為服務器、移動設備以及PC市場推出各種不同的綠色內存產品以及解決方案，幫助減少能源浪費，在企業級和消費級領域創造更大的共同價值。”

據三星稱，專有的3D V-NAND技術比20納米級NAND閃存的制造生產力提高了兩倍以上，通過利用3D Charge Trap Flash單元結構以及垂直互連技術，連接24層組成3D單元陣列。

3D V-NAND固態盤將從本月開始生產。