美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù)　速度較DRAM快逾千倍

　　在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。

　　據(jù)Techspot網(wǎng)站報導(dǎo)，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進行移動，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)出許多優(yōu)勢，不過仍存有技術(shù)缺陷，即所謂的“延遲”(latency)問題。

　　實際上存儲器在過去30年來，在時脈速率表現(xiàn)上雖已有大幅增加，但在延遲問題上卻未見顯著改善，不過由史丹佛大學(xué)材料科學(xué)與工程系副教授Aaron Lindenberg領(lǐng)軍的研究團隊，則發(fā)現(xiàn)能夠加快PCM運行速度的新方法。

　　該團隊透過每次以幾微微秒(picosecond)時間為PCM施加0.5THz電脈沖的方式，產(chǎn)生出可測量的結(jié)晶纖維，這些結(jié)晶纖維理論上可用于儲存資料，且這都發(fā)生在PCM多數(shù)材料仍處在非結(jié)晶態(tài)的物理狀態(tài)下。值得注意的是，這些結(jié)晶纖維都是以微微秒速度所生成。

　　由于傳統(tǒng)DRAM是在毫微秒(nanosecond)的時間范圍內(nèi)進行運作，但PCM此次是在微微秒情況下生成可用于儲存資料的結(jié)晶纖維，因此理論上PCM的運行速度，可較DRAM快上數(shù)千倍。

　　從先前外流的英特爾(Intel)產(chǎn)品規(guī)劃藍圖中，可看出英特爾新款Optane固態(tài)硬碟(SSD)可能將于2016年第4季或2017年初，與新一代Kaby Lake處理器一同發(fā)表，由于Optane是基于全新3D XPoint技術(shù)，目前部分外界認為，該技術(shù)可能至少部分會基于PCM原理。

　　即使如此，眼前仍有許多挑戰(zhàn)必須逐一克服，例如當前在主機板上，仍無法部署THz等級的電脈沖，主要即THz的訊號至今仍無法在印刷電路板(PCB)中非常薄的印刷銅線上良好運作。

　　再者，由于全球存儲器產(chǎn)業(yè)多年來市場價格波動難以掌握，以致業(yè)內(nèi)芯片制造商多半對于改采用新技術(shù)的態(tài)度較為保守，如果新技術(shù)采用未能保證創(chuàng)造長期穩(wěn)定的獲利，就會影響業(yè)內(nèi)新技術(shù)的采用，這都成為PCM技術(shù)在未來是否能夠普及的關(guān)鍵因素。