面對大陸攻勢　三星海力士強化3D NAND投資

　　據韓國經濟報導，大陸半導體產業在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業者也紛紛強化投資。

　　市調業者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發NAND Flash市場版圖變化。

　　清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面的競爭力，兩者合并將為大陸記憶體產業發展開啟新的局面，同時也會對全球記憶體市場帶來莫大影響。

　　先前武漢新芯與美國材料半導體業者Spansion共同研發3D NAND Flash技術，擁有量產32層堆疊晶片的技術能力，目前武漢新芯則計劃投資240億美元興建晶圓廠。

　　面對大陸的積極追趕，三星電子(Samsung Electronics)持續進行西安工廠的相關投資，同時也加緊興建位于南韓的平澤工廠，欲將其打造為全球最大規模的單一產線，用于投入3D NAND Flash量產。三星在平澤廠區的投資金額上看15.6兆韓元(約140億美元)。

　　SK海力士(SK Hynix)在南韓利川興建的M14工廠，預定從2017年第1季起，進行3D NAND Flash二階段量產。目前M11與M12產線已用于生產3D NAND Flash，若再加上M14產線，3D NAND產能可望進一步提升。

　　東芝(Toshiba)與威騰(WD)合作，計劃在日本三重縣四日市新廠房的第二產線量產3D NAND產品;四日市工廠曾因2010年大地震中斷記憶體產品生產。至于美光(Micron)則計劃擴大新加坡10X工廠生產NAND Flash產品，同時與華亞科合作，加緊追趕東芝與三星。