瑞薩發布第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）”

瑞薩科技發布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）”
實現CPU穩壓器應用的業界最高效能
--與瑞薩科技當前的產品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗—

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端（注1）功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產品的CPU穩壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。

R2J20602NP符合英特爾公司提議的“集成驅動器MOSFET（DrMOS）”封裝標準（以下稱作“DrMOS”）。它集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端開關電源MOSFET。R2J20602NP是瑞薩科技繼第一代的R2J20601NP支后開發的第二代DrMOS標準兼容產品，也是在工藝和封裝結構方面進行了改進的更高性能的第二代產品。

R2J20602NP的特性總結如下：
（1）40A的最大輸出電流
40A的最大輸出電流——代表了業界的最高性能——采用瑞薩科技的高性能功率MOSFET技術、新開發的高輻射/低損耗封裝，以及專為功率MOSFET性能而優化的高速驅動器IC。這些技術支持需要大電流的CPU、FPGA和存儲器等電子元件。

（2）與當前的瑞薩產品相比，功率損耗降低20%以上
當工作在1MHz開關頻率時，其大約為89%的最高效率實現了業界最高水平（Vin = 12V，Vout = 1.3V）。其輸出電流為25A，功率損耗為4.4W——業界的最低水平，比瑞薩當前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于實現高效的電源配置，并抑制散熱量，從而開發出一個節能的最終產品。

（3）小型封裝與第一代產品引腳安排兼容
其封裝與瑞薩當前的R2J20601NP引腳安排兼容。8