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    主動“ORing”方案降低了功率損耗和設備尺寸

    作者: 時間:2009-06-18 來源:網絡 收藏
    PI2121是一個8V、2A的器件,可以用于總線電壓小于等于5V的應用;PI2123是一個15V、15A的器件,可以用于總線電壓小于等于9.6V的應用;而PI2125是一個30V、12A的器件,可以用于總線電壓不大于12V的應用。PI2121、PI2123和PI2125的典型導通電阻分別是1.5mΩ、3mΩ和5.5mΩ。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/188901.htm


    Cool-可以由標準的10腳TDFN封裝和8腳SOIC封裝形式的單獨控制器提供,這些封裝的器件可以驅動外部標準的N溝道MOSFET,并且其功能與全部功能的集成完全相同(如圖2所示)。

    圖2 當輸入電源發生短路故障時PI2001的典型動態響應


    Picor的PI2003是針對48V冗余電源架構優化的控制器,特別適合需要瞬態電壓在100ms時間內上升達100V輸入電壓的系統。PI2003的低靜態電流使其可以直接輸入48V電壓,也簡化了低損耗偏置。

    主動技術中的負載分離特征
    常規技術和主動ORing技術解決不能在負載故障時保護輸出,這是因為總有一個二極管正向偏置電流要流到輸出端。在標準二極管ORing技術中,這是顯而易見的,但使用常規主動ORing技術,即使當MOSFET關閉的時候,也有一個寄生體二極管存在,并有正向電流流過它,而且是不可能斷開它的。


    Cool-ORing技術也包括一個負載分離的特征。PI2122全功能解決方案集成了一個具有背對背配置的MOSFET(它們可以提供極低的導通電阻)的高速控制器,封裝為高密度強化散熱的5mm×7mm LGA封裝,并為不大于5V總線的應用進行了優化。


    PI2122是7V、12A的器件,具有實際上典型值為6mΩ的導通電阻,可以使它具有非常高的效率。通過采用背對背MOSFET,內部寄生體二極管彼此是反向的,因此當MOSFET關閉的時候,阻止了正向和反向電流。


    該產品作為主動ORing技術的解決方案,也能夠檢測輸出負載故障時的過電流。這個功能在獨立控制器PI2002中也存在,它可以驅動外部標準背對背配置的N溝道MOSFET。


    冗余供電架構依賴于采用寬總線電壓的有效ORing技術方案。Picor公司的Cool-ORing系列主動ORing方案的價值是下一代高可用系統的關鍵。


    全功能解決方案將高速控制器和高性能MOSFET技術融合在一起,在高密度強化散熱的LGA封裝中實現了極低的損耗。這些解決方案與傳統的主動ORing技術相比節省了50%的空間。


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