選擇性發(fā)射極晶體硅太陽(yáng)電池實(shí)現(xiàn)方法分析

所謂選擇性發(fā)射極(SE-selectiveemiter)晶體硅太陽(yáng)電池，即在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴(kuò)散層復(fù)合，由此可提高光線的短波響應(yīng)，同時(shí)減少前金屬電極與硅的接觸電阻，使得短路電流、開(kāi)路電壓和填充因子都得到較好的改善，從而提高轉(zhuǎn)換效率。

該結(jié)構(gòu)電池的優(yōu)點(diǎn)

1、降低串聯(lián)電阻，提高填充因子

2、減少載流子Auger復(fù)合，提高表面鈍化效果

3、改善光線短波光譜響應(yīng)，提高短路電流和開(kāi)路電壓

一 、印刷磷槳(云南師范)

特點(diǎn)：磷漿容易高溫?fù)]發(fā)，選擇性不佳。也可以一次性實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散。

二 、腐蝕出擴(kuò)散掩膜層(南京中電)

特點(diǎn)：阻擋層用氧化硅或氮化硅，刻蝕漿料主要利用釋放的氟化氫來(lái)刻蝕。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻擋膜，一次性擴(kuò)散。困難在，漿料的印刷性能，擴(kuò)散均勻性，印刷對(duì)齊。

三、 直接印刷掩膜層(schmid，centrotherm)

特點(diǎn)：要求掩膜的印刷特性要好，抗氫氟酸要好，容易清除。工藝步驟簡(jiǎn)單。困難在，擴(kuò)散均勻，印刷對(duì)齊。schmid 的腐蝕法SE 電池交鑰匙工程，centrotherm 的激光刻蝕氧化膜SE電池交鑰匙工程。

四、濕法腐蝕重?cái)U(kuò)散層/等離子體刻蝕重?cái)U(kuò)

特點(diǎn)：濕法可用氫氟酸和硝酸體系或強(qiáng)堿，將暴露的重?cái)U(kuò)散層腐蝕成淺擴(kuò)散層。要求耐腐蝕漿料。干法等離子體，用四氟化碳或氟化氮等氟化物形成的氟離子來(lái)刻蝕暴露的中摻雜部分。干法也可用銀漿做掩膜。

五、LDSE(新南威爾士)

特點(diǎn)：用到激光和電鍍，工序多，工藝復(fù)雜。電鍍有多種選擇。電鍍的銀的導(dǎo)電性約是銀漿的10 倍。可以節(jié)省貴金屬。用鎳銅銀，或鎳銅錫結(jié)構(gòu)，可以省掉貴金屬。可以把刪線做的很密很細(xì)，或其他優(yōu)化結(jié)構(gòu)。

六、 硅墨技術(shù)(Innovalingt，OTB)

特點(diǎn)：只需增加一臺(tái)印刷機(jī)，就可實(shí)現(xiàn)較大幅度的效率提升。在現(xiàn)有工藝設(shè)備基礎(chǔ)上也容易升級(jí)。