ST針對PC BIOS應用推出4 KB存儲段粒度的16-Mbit頁式可擦除串行閃存

意法半導體(ST)針對PC BIOS應用推出4 KB存儲段粒度的16-Mbit頁式可擦除串行閃存 

最高50MHz SPI兼容總線，快速頁式擦除，標準引腳，M25PE16是參數代碼存儲的最佳解決方案

意法半導體（紐約證券交易所代碼： STM)宣布，M25PE系列頁式可擦除串行閃存產品新增一個段粒度4-Kbyte的16-Mbit存儲器芯片，該產品是PC BIOS應用以及光驅、數字錄音機、網絡產品以及機頂盒(STB)等消費電子存儲應用的最佳選擇。作為ST公司第一款子段粒度4KB的串行閃存產品，M25PE16為存取操作提供一個工作頻率最高50MHz的兼容SPI的串行總線。

新產品采用一條四線高速串行接口，而沒有使用并行存儲器接口，這種設計的優點是可以使用更小的封裝和更少的引腳，從而節省成本和電路板空間。該存儲器分為32個存儲段。每段包含256個存儲頁，每頁256字節寬。此外，每段又分為16個子段，每個子段包含16個存儲頁。利用頁式寫入或頁式編程指令，存儲器一次寫入代碼或編程最多1到256字節。使用整體擦除命令，一次可以擦除一頁、一個子段、一個存儲段或全部存儲器。精細的擦寫粒度使之特別適合存儲BIOS參數。

該存儲器改進了保護功能，能夠防止意外編程和擦除操作。根據不同的應用需求，利用易失性和非易失性混合保護功能，可以通過軟件或硬件實現寫保護功能。保護粒度是64-KB（段粒度）或者4-KB (位于0段和31段內的子段粒度)。 

M25PE16使用單電源電壓，工作電壓范圍2.7V到3.6V, 工作溫度范圍-40到+85 攝氏度。產品特性包括可以降低系統功耗的1-microamp的深關閉模式，以及便于設備識別的JEDEC標準雙字節電子簽名。數據保存期限20年以上，每個存儲段可承受100,000次反復擦寫。