MEMS技術發展及應用優勢

摘要

敘述了在微工程研究領域有代表性的微機電系統(MEMS)技術特點，介紹了MEMS壓力傳感器、MEMS陀螺儀、MEMS加速度計等典型的MEMS產品，概述了MEMS基礎理論研究進展以及國外對MEMS陀螺儀、MEMS加速度計的研究和發展現狀，分析了MEMS技術在飛航導彈等飛行器上的應用優勢。

引言

新興的微米與納米技術正在派生出一門新興學科叫微工程，它專門研究具有納米、微米和毫米尺寸的實體結構的三維小型傳感器和執行機構的設計、材料合成、微機械加工、組裝、總裝和封裝。利用這項技術可以把傳感器、執行機構以及信號和數據處理器做在同塊芯片上，構成件微型儀表。目前，研究和開發微納米級的微機電系統和專用微型儀表(ASIM),包括微納米傳感器、傳動件、執行器以及智能材料等已成為熱門課題。20世紀70年代興起的微電子機械系統，是集執行器和傳感器等微型裝置、微型機構、微尺度驅動、控制與處理集成電路(IC)為一體的微型系統。隨著MEMS的出現和發展，航天微系統時代將伴隨而來。MEMS技術的發展，為未來飛航導彈等高端航天航空飛行器的設計提供很大的發揮空間。

1 MEMS的技術特點和典型產品

1)MEMS的技術特點

基于微機電系統技術的傳感器一般是由硅基材料和利用半導體集成電路制造工藝制造而成的集微機械、微電子功能高度綜合的傳感器系統，它具有顯著的尺寸小、質量輕、功耗低、成本低、可靠性高、抗振動沖擊能力強等特點。同時，在微米量級的特征尺寸使得它們可以完成某些傳統傳感器所不能實現的功能。目前研制的MEMS產品主要包括微機電陀螺儀、微機電加速度計及微壓力計等在內的微機電傳感器。由于在尺寸、質量、功耗和可靠性等方面的突出特點，MEMS傳感器被應用于軍事領域和抗惡劣環境要求高的場合。

2)MEMS壓力傳感器

微機電壓力傳感器是最早開始研制、最早開始產業化的MEMS產品。從信號檢測方式來看，微機械壓力傳感器分為壓阻式和電容式兩類，分別以體微機械加工技術和犧牲層技術為基礎。目前，壓阻式壓力傳感器的精度可達0.05%-0.01%，溫度誤差為0.0002%，耐壓可達幾百兆帕，過壓保護范圍可達傳感器量程的20倍以上，并能進行大范圍下的全溫補償。硅微諧振式傳感器除了具有普通微傳感器的優點外，還具有準數字信號輸出，抗干擾能力強，分辨力和測量精度高的優點。并且將敏感元件與信號調理電路高度集成在一塊芯片上，大大提高可靠性和減低制造成本，具有很好的應用前景。

3) MEMS加速度計

運動載體的線運動加速度是通過加速度傳感器測量的，硅微加速度傳感器是繼微壓力傳感器之后第二個進入市場的MEMS傳感器。其主要類型有壓阻式、電容式、力平衡式和諧振式，最具有吸引力的是力平衡加速度計。其主要的制造手段是硅片表面微機械工藝和BiCMOS技術。目前工程化的MESM加速度計精度在國外已達到100ug以內。

4)MEMS陀螺儀

飛行器飛行姿態運動是用陀螺儀來進行測量的。傳統的陀螺儀是利用高速轉動的物體具有保持其角動量的特性來測量角速度。常見的MEMS陀螺儀有雙平衡環結構、懸臂梁結構、音義結構、振動環結構等，通過被激勵的振動體對哥氏加速度的敏感來測量角速度。1988年，美國德雷伯實驗室研制出第一臺框架式角振動微機電陀螺儀，1993年又研制出性能更好的音叉式線振動陀螺儀。影響其應用的主要問題是精度限制，提高精度的手段主要是改進微細加工工藝和誤差分離/補償技術。

2國外MEMS技術發展現狀

2.1 MEMS基礎理論研究發展

MEMS不同于傳統機電系統，自身還有宏觀物理學難以解釋和預測的特定規律，諸如微構件力學性能、微摩擦機理、微流體力學、微傳熱學等基礎理論研究仍然需要深入探索和關注。對于某些微納尺寸構件或系統，其微尺度效應與宏觀現象差異很大，甚至發生質的變化，諸如力的尺寸效應、微結構表面效應、微觀摩擦機理、熱傳導、誤差效應和微構件力學性能等。在微觀領域，與物體特征尺寸成高次方的慣性力、電磁力作用會隨著特征尺寸的減小而快速下降，與特征尺寸成低次方的黏性力、彈性力、靜電力、范德華力等減小的速度會慢的多，比高次方的力相對增大;在許多情況下，重力和慣性力可忽略，表面力和靜電引力成為對系統性能起主導影響作用的因素.微構件相對運動時，表面摩擦力、潤滑膜粘滯力表現突出;微觀摩擦將取決于構件表面間的分子作用力，而不再是載荷壓力，牛頓摩擦定律在此已不適用。在微流體力學中，微管道中液體的輸送機理和外在表現與Navier-Stokes流體方程出現偏離，需要基于微流體動態測試平臺進行修正。在微尺度傳熱學中，微槽、微孔、微管等微器件內部的傳質傳熱特性亦與宏觀傳熱油很大差異。

目前，MEMS基礎理論研究已取得一些研究進展，并開發出一些測試儀器或系統對微尺度理論體系進行完善，但尚不系統化，有待于進一步對微結構學、微動力學、微流體力學、微摩擦學、微熱力學、微電子學、微光學、微生物學等進行研究。

2.2 MEMS加速度計發展現狀

美國ADI公司最早實現加速度計結構和電路的單片集成，自1993年第1只表面硅工藝生產的硅加速度計出售至今，以ADXI5O為代表的微慣性器件全球銷量已超過l億件。其器件不斷朝高性能、小體積方向發展，此類加速度計主要針對工業傳感領域，如汽車氣囊的彈射觸發等.ADI公司微加速度計的性能發展列于下表。

為了減小體積和成本，ADI公司還進行了雙軸單片集成硅加速度計的研制，成品為ADXL203雙軸硅微加速度計，量程為1.7 g,精度為5.0 mg。加州大學伯克利分校采用2um標準CMOS工藝研制的三軸加速度計，芯片見圖1。3個分離的檢測質量為2um厚的多晶硅，其檢測電路包括約1000個晶體管。另外，伯克利分校還報道了一種采用單質量塊實現的三軸加速度計,Litton SiACTM硅加速度計為其典型的代表，量程超過100g,零偏優于20ug,標度因數穩定性優于5x10的-5次方。采用全硅結構，體積小、質是輕、功耗低。此類加速度計針對導航和制導領域如小型無人機的導航和控制、短程戰術武器制導等等，已廣泛應用于LN-200、 LN-200S、LN-300等慣性測量組合上，以及LTN-101E、LI-SA-200兩種民用和軍用飛機慣性導航系統上。