東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

　　實(shí)現(xiàn)最高級別低導(dǎo)通電阻性能和高速轉(zhuǎn)換　　

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了最高級別的低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。

　　特性

　　1. 采用了第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了最高級別的低導(dǎo)通電阻

　　2. 實(shí)現(xiàn)了較低的內(nèi)部門極電阻和較低的門極電容比(Cgd/Cgs)，有助于預(yù)防自啟動現(xiàn)象

　　規(guī)格