聯華與新思攜手 加速聯華電子14奈米FinFET制程研發

　　聯華電子與全球半導體設計制造提供軟件、IP與服務的領導廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare^®邏輯庫的IP組合及 Galaxy™實作平臺的一部分-寄生StarRC™萃取方案，成功完成了聯華電子第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設計定案。

　　由于FinFET制程所具備的效能、功耗、芯片內變異性以及比平面CMOS制程較低的數據保留電壓等優勢，引起了芯片設計公司高度的興趣。此制程驗證工具將提供初期的數據，讓聯華電子得以調整其14奈米FinFET制程，并且優化Synopsys的DesignWare IP產品組合，藉以得到最佳化的功耗、性能和面積。它同時也提供了數據，讓FinFET仿真模型與硅制程結果有更好的關聯性。在雙方持續發展中的合作關系上，采用新思科技DesignWare硅智財解決方案來認證聯華電子14奈米FinFET制程，可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。

　　“此次設計定案的成功，是聯華電子技術上的重要里程碑，” 聯華電子市場營銷副總郭天全表示，“聯華電子的目標是提供客戶高競爭力的FinFET技術解決方案，將可協助客戶產品一直走在技術尖端。我們選擇了新思科技作為此次重要合作的伙伴，原因在于他們在FinFET領域的經驗與專業，以及在先進制程開發優質DesignWare硅智財的杰出紀錄。此次合作的成果將可大大嘉惠設計公司，為其帶來功耗、效能及成本上的好處。¨

　　新思科技硅智財與系統營銷副總John Koeter表示， “新思科技一直引領業界，致力于開發FinFET技術的硅智財與工具，我們與聯華電子的合作，充分展現了雙方共同的堅定承諾，開發通過驗證之硅智財與工具，藉此降低設計公司在整合上的風險，并且加速其產品的量產時程。”