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    ARM:14nm FinFET之路仍有顛簸

    —— 但目前仍有技術上的問題必須克服
    作者: 時間:2013-04-27 來源:CTIMES 收藏

      自從決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在技術上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當然還是必須協同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術進度。對來說,去年年底宣布成功試產(Tape Out) FinFET技術的三星,將是有助于提高自家處理器效能的關鍵,但目前仍有技術上的問題必須克服。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/144762.htm

      日前已正式對外公布2013年Q1財報,營收同樣繼續維持成長,主要營收的大多比重皆是來自于IP技術授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術)。而低功耗一直以來都是ARM的強打特色,不過,隨著效能的不斷提升,功耗問題就更明顯,反觀Intel這一兩年開始對低功耗市場投以關愛眼神,再加上在技術方面Intel明顯優于其他大廠,未來能夠推出高效能兼具低功耗的處理器也不無可能。

      ARM表示,目前所合作的夥伴是透過DVFS(動態電壓與頻率調節)技術來設計SoC,除了能夠提升性能亦可降低負載,并且受惠于 FinFET制程技術更低的工作電壓,以及擴大在低檔和過載條件下的電壓范圍,讓ARM的Big.Little架構能夠在中低程度的工作負載下,得以提高高階產品的效能,同時更具效率。

      不過隨著半導體技術所面對的困難及復雜程度日益距增,就連是身為半導體龍頭的Inte同樣在半導體路上舉步維艱。反觀對于正在期待 FinFET制程技術有所突破的ARM而言,不僅要面對希望產品盡快上市的壓力,更希望處理器能夠更加進步,畢竟想要跟Intel在行動裝置與伺服器市場比拼,就必須盡快提升自家與合作夥伴的技術進度。



    關鍵詞: ARM 制程 14nm

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