聯華與意法攜手開發65納米BSI CMOS影像傳感器制程

　　聯華電子日前宣布，與意法半導體合作開發65納米CMOS影像傳感器背面照度BSI技術。雙方先前已在聯華電子新加坡Fab 12i廠順利研發出意法半導體的前面照度式FSI制程，在之前成功經驗的基礎上，此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關系。此次1.1um像素間距的BSI制程將在聯華電子新加坡Fab 12i廠進行研發，并將以開放式平臺模式供客戶采用，以協助客戶迎接高分辨率與高畫質(千萬像素以上)尖端智能手機時代的到來。

　　聯華電子負責12英寸產品運營的高級副總顏博文表示：“我們很高興與意法半導體攜手研發此次項目，擴展長期合作伙伴關系。此次協議貫徹了聯華電子開放式平臺的合作策略，提供客戶導向晶圓專工解決方案，以滿足日益攀升的市場需求。聯華電子希望通過增加這一CIS BSI制程，在未來更進一步地強化雙方全方位的技術組合。”

　　聯華電子在CIS領域擁有雄厚實力，包含現有的8英寸與12英寸CIS制造解決方案，以滿足多元化的市場需求。此次新開發的65納米CIS技術將具備BSI制程，足以滿足長期需求，除了可用于現有應用產品之外，預期未來也可以應用于車載電子設備與工業領域。65納米BSI制程系針對迅速興起的應用產品而推出，諸如智能手機、平板電腦、高階顯示器以及消費型數碼相機/數碼單反相機等，都可在取得意法半導體的授權后采用。

　　“過去意法半導體在影像技術上與聯華電子合作的輝煌成績，讓我們對此次與聯華電子攜手開發次世代影像感測制程擁有極大的信心，”意法半導體負責影像、Bi-CMOS、ASIC及硅光子業務的副總裁Eric Aussedat表示，“雙方合作的經驗將使我們能夠通過尖端的BSI制程支持所有本公司將拓展的應用產品與市場。”