華潤上華推出高性價比0.25微米Scalable BCD工藝平臺

　　華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已完成0.25微米Scalable BCD工藝平臺開發，其更低成本和更高的可移植性可滿足客戶多樣化的產品設計需求，進一步提高了華潤上華BCD系列工藝平臺的技術優勢。

　　華潤上華的0.25微米Scalable BCD工藝平臺為0.5微米前段制程與0.25微米后段制程，由之前0.25微米24V BCD工藝平臺延伸而來，核心器件工作電壓為5V，提供DMOS工作電壓為12V至45V的高壓器件與功率器件，其擊穿電壓由20V延伸到80V。該工藝廣泛應用于DC-DC電源轉換、LED照明驅動及LED背光驅動IC。

　　該工藝后段采用鋁制程，最多可支持5層鋁連線，具有低Rdson的優秀性能表現，提供多種優化的器件結構，以幫助客戶提升成本效益的設計優勢。與華潤上華的0.25微米24V BCD工藝相比，0.25微米Scalable BCD工藝平可以將芯片DMOS工作電壓延伸更高至45V。同時該工藝能提供多段式電壓的選擇，可藉由調整設計而不額外增加光罩層數，具有低成本、高可移植性的優勢，能夠滿足多樣化的產品設計需求。

　　與此同時，華潤上華0.25微米Scalable BCD工藝平臺可提供經驗豐富的ESD 解決方案與ESD設計支持，設計支持部分可提供完整的PDK 與優化的設計流程，以滿足客戶芯片設計的需求。