英飛凌推出全新40V P溝道OptiMOS P2芯片

　　2011年9月9日，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS  P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。

　　新推出的器件系列采用多種標準封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個器件型號，其中包括通態電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準。P溝道40V OptiMOS P2產品用作汽車橋式電路中的高邊開關，無需額外的電荷泵器件，從而可大幅節約成本，改進電磁干擾性能。新器件與PWM(脈寬調制)控制裝置結合使用，可具備優于N溝道 MOSFET的熱性能和抗雪崩性能。這使它成為汽車電池反接保護和電機控制應用的理想之選，例如EPS(電動助力轉向)電機控制裝置、三相電機和H橋電機(如擋風玻璃雨刮器、電動駐車制動裝置、空調風扇控制裝置和電動水泵以及電動燃油泵等)。

　　鑒于溝道型MOSFET所具備的成本和能效優勢，整個行業都明顯看好這種技術。基于英飛凌的第二代溝道工藝，OptiMOS P2器件具備低柵極電荷、低電容、低開關損耗、大電流和出色的性能系數指標(性能系數：RDS(on) x Qg)，從而使電機具備高能效，同時最大程度地降低電磁輻射。例如，僅2.4mΩ的行業最低通態電阻(采用D2PAK封裝，電壓10V)不足市場上同類MOSFET的三分之一。

　　通過推出全新的P溝道40V器件，英飛凌壯大了適用于采用橋式配置的電機控制裝置的產品陣容。這種采用橋式配置的電機控制裝置廣泛應用于各種汽車系統。橋式配置需要高邊MOSFET和低邊MOSFET。相對于N溝道MOSFET，新型P溝道器件不需要額外的電荷泵執行驅動直流有刷電機或直流無刷三相電機的高邊開關的功能。這可節省成本，因為P溝道也可通過一個簡單的驅動電路驅動。對于H橋電機而言，平均可節省大約5%至10%的成本。

　　舉例來說，傳統的液壓助力轉向系統依靠發動機提供動力，這意味著電機必須持續不斷地運行。對于電動助力轉向系統而言，只是在需要助力時才使用電機，這有助于降低油耗。利用電控水和油泵代替液壓水和油泵還可使車身重量減輕多達4公斤，從而提高燃油效率。從環保的角度而言，電動泵也具備優勢，因為在車輛回收時沒有什么油需要處理。此外，電動水泵絕對是混合動力汽車必備的裝置。

　　在MSL1 (潮濕敏感度等級1)條件下，采用結實耐用封裝(Robust Package)的OptiMOS P2器件可承受高達260 °C的回流焊接溫度。OptiMOS P2器件還采用符合RoHS標準的無鉛電鍍的要求。這種功率MOSFET完全符合汽車電子委員會的AEC-Q101規范。