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    ARM全力對付硅和電池的障礙

    作者: 時間:2011-08-22 來源:電子產品世界 收藏

            硅縮放和的一個大障礙阻礙了在移動通信系統中的巨大的機遇,一個執行在主題演講中說。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/122801.htm

           “硅縮放,在某一時刻會結束,而且我認為它的到來早于很多人所料想的,”的物理IP部門的總經理Simon Segars,在一年一度的熱芯片的事件說。更重要的是,“我們確實需要一個新的,”他說。

            用硅原子測量一小部分在直徑和單個納米數字工藝技術接近的納米位數,“在我們需要其他材料,如III-V半導體之前,你只能規模到目前為止。”他說

            難以提供生產質量的EUV(極紫外)光刻技術已經造成了問題。今天的浸泡系統芯片制造商必須使用復雜的雙圖形技術,而等待他們的EUV,可用于14nm節點所需的,Segars說。

           “你需要產生一個每小時200-300晶圓,今天的EUV技術的機器現在可以做每小時約五晶圓”Segars說。 “有人質疑是否將成為主流——研發仍然需要深入探究。”他補充說。

            設計問題顯得突出。 4G調制解調器可以500倍的2G版本的復雜性,需要專用的數據處理引擎。

            他說,需要更多的性能和功耗也推動了多個電源域的復雜性和時序收斂。不過, 執行承諾提出包括Cortex A15處理器充分的跨多個CPU和GPU,到2015年。

            看起來同樣具有挑戰性,增加每年只有約11%,遠遠落后于摩爾定律的步伐。即使維持蕭條率,“將需要一些特殊材料,如硅合金或碳納米管——電池是真正的毫無價值,”他說。

            在另一側的障礙是巨大的移動機遇。“所有的數字都很大。”Segars說,注意到去年的40億移動電話用戶市場的銷售額為280萬部智能手機。

            “雖然我們已經取得了意想不到的進展,仍然會有一些問題存在,未來也不會再像過去。”他警告說。



    關鍵詞: ARM 電池技術

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