Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。

　　因此，該MOSFET的運(yùn)行溫度更低，并可節(jié)省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，尤其適用于超薄便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品，包括平板電腦及智能手機(jī)。Diodes 率先提供額定電壓為20V、30V及60V的N溝道和P溝道器件，這些器件可用于多種高可靠性的負(fù)載開關(guān) (load switching)、信號(hào)轉(zhuǎn)換 (signal switching) 及升壓轉(zhuǎn)換 (boost conversion) 應(yīng)用。

　　例如，額定電壓為20V的DMN2300UFB4 N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻僅為150mΩ，比同類解決方案低一半以上，有助于大幅減少傳導(dǎo)損耗和功耗。而P溝道、20V 的DMN2300UFB4可提供類似的同類領(lǐng)先性能。這兩款MOSFET同時(shí)具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。

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