聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出

　　晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計2011年投入量產(chǎn)。

　　聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性能極具國際競爭力，預(yù)計將于2011年上半年提供工程樣品，接著便能進(jìn)入量產(chǎn)。CMOS-MEMS加速度計的產(chǎn)品開發(fā)也己符合消費(fèi)性電子產(chǎn)品之應(yīng)用規(guī)格 (1g ~16g)，其功能也達(dá)量產(chǎn)的目標(biāo)。

　　聯(lián)電指出，除已與多家客戶合作開發(fā)各樣的MEMS芯片和高度集成的CMOS-MEMS產(chǎn)品，擴(kuò)展微機(jī)電傳感器于生活或環(huán)境監(jiān)測之高階應(yīng)用之外，聯(lián)電也以自身多樣性的CMOS制程技術(shù)，提供微機(jī)電專用ASIC芯片之專工服務(wù)，以支持各種微機(jī)電應(yīng)用。

　　聯(lián)電表示，MEMS技術(shù)開發(fā)是一項極大挑戰(zhàn)，目前已有不錯成果;客戶MEMS麥克風(fēng)元件已完成功能驗證，訊噪比可達(dá)56dBA以上，預(yù)計今年上半年提供工程樣品，隨即可導(dǎo)入量產(chǎn)。

　　聯(lián)電MEMS加速度計產(chǎn)品開發(fā)也已符合消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用規(guī)格，功能也達(dá)量產(chǎn)目標(biāo);此外，聯(lián)電也與多家客戶合作開發(fā)各樣MEMS芯片產(chǎn)品，擴(kuò)展微機(jī)電傳感器在生活或環(huán)境監(jiān)測的高階應(yīng)用。

　　聯(lián)電表示，隨著MEMS傳感器應(yīng)用日益普及，MEMS專工服務(wù)需求急遽增加，聯(lián)電未來將開放MEMS技術(shù)，提供產(chǎn)業(yè)及學(xué)術(shù)界開發(fā)新元件。