SanDisk-東芝聯盟憑借三位元技術扭轉戰(zhàn)局

　　最近NAND閃存芯片產業(yè)內部的競爭激烈程度已經到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯盟剛剛宣布將在今年量產25nm制程NAND閃存芯 片，其對手SanDisk-東芝聯盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產品。

　　據SanDisk公司展示的產品發(fā)展路線圖顯示，SanDisk-東芝聯盟推出的24nm制程NAND閃存芯片將可適用于兩位元存儲單元設計和三位元存儲單元設計。而Intel-鎂光聯盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲單元設計。

　　Avian Securities市調公司的分析師Dunham Winoto根據SanDisk公司上周舉辦的財報會議內容總結稱：“今年10月份，預計SanDisk公司32nm制程NAND閃存芯片的產能將提升70%，24nm制程產品的量產則將于下半年底開始。而鎂光公司34nm制程芯片的產能則將于今年第二季度提升100%，并將于同期開始量產25nm制程NAND閃存芯片。可見鎂光在今年三四兩個季度將在縮減制程方面保持領先，不過在三位元存儲技術方面則較為落后。”

　　另外，SanDsik-東芝聯盟與Intel-鎂光聯盟的NAND閃存芯片技術發(fā)展策略也存在鮮明的區(qū)別，Winoto指出：“SanDisk在會上反復強調只有將三位元存儲技術與制程縮減技術結合在一起，才是最理想的降成本技術方案。而鎂光聯盟則走的是更為強調制程尺寸縮減，而較為忽視三位元存儲技術的路線。”

　　據這位分析師表示，造成兩家策略差異的原因主要有二，其一是鎂光的產品多專注于嵌入式NAND閃存應用;其二是SanDisk聯盟在三位元存儲技術方面所擁有的專利技術數量更多。

　　另外，SanDisk還在這次財報會議上將今年的資本支出金額由原來預計的7億美元提升到了9億美元，比去年的3.7億美元增加了不少。不過仍低于2006-2008年間每年平均投入16億美元資本金的水平。

　　這次增加資本支出預算的原因主要是SanDisk準備提升其位于日本的Fab4工廠的產能，他們計劃將這間工廠的月產能由12.5萬片提升到16.5萬片。另外，會上SanDisk公司還表示今年NAND閃存市場的需求將非常旺盛。

　　誰才是NAND閃存芯片工業(yè)的技術領跑者?

　　Intel-鎂光聯盟曾一度在NAND閃存芯片工業(yè)中占據技術老大的地位，他們最近剛剛正式推出了基于34nm制程的NAND芯片產品。兩家公司建有一家名為IM Flash的NAND閃存合資廠。

　　不過好景不長，SanDisk-東芝聯盟很快便宣布開發(fā)出了32nm制程NAND閃存芯片，隨后三星公司也推出了30nm制程的閃存芯片產品，海力士公司則隨后宣布將推出26nm制程的NAND閃存芯片產品。而Intel-鎂光聯盟則最近宣布將推出25nm制程產品，重新奪回了制程之王的稱號。

　　那么，現在，誰又是領跑者呢?Web-Feet市調公司的分析師Alan Niebel表示：“如果你一定要從數字上分出個高下的話，那么在24nm制程推進速度方面，SanDisk-東芝聯盟是領先者。不過在24nm-27nm級別制程的范圍內，其領先幅度是很微小的，畢竟各家廠商關鍵尺寸的測量方法稍有區(qū)別。SanDisk將首先推出24nm制程雙位元存儲技術，并會很快推出三位元技術。不過最重要的是這些產品中的哪一款將首先被推向市場。從這個角度來看，IM Flash公司是首家推出25nm制程兩位元NAND閃存商用化芯片的廠家;而SanDisk-東芝則會是首家推出三位元存儲技術NAND閃存商用化芯片的廠家，負責生產這種芯片的工廠將主要是其旗下的Fab3工廠，而Fab4也將生產一部分這樣的芯片。”