中芯國際發布0.18微米EEPROM

     中芯國際宣布其研發出的0.18微米電可擦除只讀存儲器(EEPROM)工藝技術已經可以提供給客戶使用。為了更好地服務于全球客戶，中芯國際設計服務處同時宣布他們采用此項工藝技術成功研發出嵌入式電可擦除只讀存儲器智能模塊設計平臺。 


       “眾所周知，0.18微米電可擦除只讀存儲器是一項非常重要的技術。尤其在中國，不管是從其巨大的潛力市場來說，還是從其目前以及潛在的應用類產品數量來說，這項技術的重要性均是顯而易見的。中芯國際對于客戶的需求已經準備就緒。更為重要的是，使用了中芯國際0.18微米電可擦除只讀存儲器先進技術的真實產品所具有的高可靠性，表明了中芯國際在電可擦除只讀存儲器的研發制造上達到了一個新里程。”中芯國際存儲器技術研發中心資深副總裁李若加表示。 


       同時，中芯國際設計服務處在0.18微米電可擦除只讀存儲器工藝技術基礎上，研發出包括嵌入式電可擦除只讀存儲器、嵌入式只讀存儲器、嵌入式一次可編程只讀存儲器等大量存儲器智能模塊平臺。這些智能模塊加上微控制器、電壓轉換器和特殊輸入/輸出，給消費者提供了一個完整的、經過驗證的設計平臺解決方案。可廣泛運用于各種消費產品中，像微控制器、無線電話、無線通訊設備以及諸如專用芯片設計，數字信號處理和微控制器等諸多應用設備中。0.18微米電可擦除只讀存儲器智能模塊平臺可廣泛應用于快速增長的IC卡市場，如手機SIM卡、借記卡、信用卡、身份證、智能卡、USB鑰匙以及其他需要安全認證或需時常更新和編寫資料的應用設備中。 


       中芯國際的0.18微米電可擦除只讀存儲器IP擁有眾多亮點，如較短的單字節讀取時間、低功耗，允許頁寫操作，比0.35微米智能模塊縮小了50％的面積，而其高可靠性的保證亦達到了業界水平。除了電可擦除只讀存儲器外，NAND型只讀存儲器和NOR型只讀存儲器智能模塊也都已適用，提供較小的面積、低功耗及高速度。存儲器編碼采用離子注入制程使得編碼在芯片上不可見，這無疑更加強了高端智能卡等應用產品的安全性。 


       除了傳統的電可擦除只讀存儲器加上掩膜版只讀存儲器的解決方案，中芯國際同時提供一項極具成本效應的電可擦除只讀存儲器加上一次可編程只讀存儲器的解決方案。此方案采用低成本的紫外線可擦除一次可編程只讀存儲器作為掩膜版只讀存儲器的替代方案。這項方案可在晶圓切割時或現場進行編程，故大大縮短了客戶產品面世時間。中芯國際的0.18微米一次可編程只讀存儲器具有諸多優勢，如面積小、較短的單字節編程時間、高讀取速度、低功耗和芯片制成后的編程能力。 


       目前，4KB，8KB，16KB及32KB 的電可擦除只讀存儲器智能模塊都已可以提供給客戶使用。1KB，2KB和64KB亦預計可以開發完成。 32K，64K和128K的NAND型和NOR型的只讀存儲器及32KB和64KB的一次可編程只讀存儲器也都可以提供給客戶使用，而16KB和128KB的一次可編程只讀存儲器正在研發中。我們還可依客戶需求定制不同容量大小的模塊，在較短的時間內即可滿足每位客戶的不同需求。


(摘自http://www.ednchina.com)