英飛凌日立開發(fā)90納米硬盤驅動器

    英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進的硬盤驅動器讀取信道內核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產的集成電路。該產品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。 

    英飛凌副總裁兼專用集成電路和設計解決方案事業(yè)部（ADS）總經理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內核，使硬盤驅動器行業(yè)能夠滿足下一代產品要求，包括更高的數據率、更低的能耗和更小的晶片面積，從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統(tǒng)（SOC）解決方案。首例經過測試的內核芯片，鎖相環(huán)路(PLL)能夠達到3.6GHz的速度，而模擬前端信號通道可以實現高達2.7Gb/s的數據率。和采用130納米工藝的先進讀取信道相比，性能提高約50%。” 

    市場分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發(fā)表的研究報告表明，在移動和臺式設置應用的推動下，全球硬盤驅動器產品市場規(guī)模預計將從2005年的33億美元增長到2009年的45億美元，增幅近30%。 

     新一代讀取信道技術可以支持一些高級的功能，如垂直錄寫，并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術來大幅提高存儲密度，實現更佳的信噪比（SNR）性能。 


       英飛凌的90納米讀取信道內核立足于一個通用架構，適用于所有硬盤驅動器細分市場（如企業(yè)級、臺式、移動和超低功耗應用等）。按照每個細分市場的特定目標參數進行定制化設計，能夠滿足不同硬盤驅動器平臺的要求。 


       目前英飛凌正在開發(fā)另一種讀取信道內核產品，用于電池供電設備，旨在實現極低的功耗。由于采用了能夠支持手機等便攜產品的英飛凌90納米工藝，這種產品還能實現超長的待機時間和更佳的泄漏電流表現。

(摘自http://www.ednchina.com)