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可應(yīng)用三維存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)PCM的高集成NAND型相變內(nèi)存方案
- 日本中央大學(xué)理工學(xué)部電氣電子信息通信工學(xué)科教授竹內(nèi)健等人的研發(fā)小組提出了NAND型相變內(nèi)存（Phase Change M ...
- 關(guān)鍵字： 三維 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) PCM 高集成 NAND型
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