- 臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領先專業積體電路制造服務領域，成功開發28納米低耗電技術，同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導體可以持續往先進工藝技術推進。此一工藝技術的優勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統類比/射頻/電子熔線(analog
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臺積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
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