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IGBT模塊封裝底板的氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響分析

本文簡(jiǎn)介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程，并在相同的實(shí)驗(yàn)條件下，對(duì)兩組不同氧化程度的模塊分別進(jìn)行超聲波無(wú)損檢測(cè)掃描，將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計(jì)分析軟件，通過(guò)對(duì)比兩組空洞率數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)：非氧化底板焊接空洞率較低，氧化底板的焊接空洞率普遍偏大。基于本實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，本文建議IGBT模塊在封裝之前，應(yīng)對(duì)散熱底板做好防腐處理，以確保底板不被氧化。
關(guān)鍵字： IGBT 底板氧化空洞率超聲波檢測(cè) 201605

夏普與東芝照明技術(shù)從2010年2月相繼開(kāi)始供貨形狀與小型E17型燈泡接近的LED燈泡（圖1）。E17型燈泡“市場(chǎng)供貨量有望大幅增長(zhǎng)”（東芝照明技術(shù)總部LED產(chǎn)品技術(shù)部LED產(chǎn)品技術(shù)主要負(fù)責(zé)人兼參事酒井誠(chéng)）的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)E17型
關(guān)鍵字： LED 電源底板方式