- 基于GaAs 0.25 μ m pHEMT工藝，設計一款高精度、低附加相移數控衰減器。該低附加相移數控衰減器由6位衰減單元級聯組成，衰減范圍為（0～31.5）dB，步進為0.5 dB。在（10～20）GHz工作頻率范圍內，衰減器插損小于4.8 dB，所有衰減狀態衰減精度不大于±0.5 dB、附加相移不大于±3°，輸入駐波系數不大于1.4，輸出駐波系數不大于1.5。
- 關鍵字：
202305 高精度 低附加相移 數控衰減器
低附加相移介紹
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