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    vd-mosfet 文章 最新資訊

    哪些應用和技術會成為2021的熱點

    • 全球都在共同積極應對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個充滿挑戰的新環境,疫情加速了許多本來就在進行的趨勢,所有趨勢都潛藏著一個一致的主題,那就是彈性。互聯網的應用比以前有了更大的發展和進步。有很多人在網上訂購生活必需品送貨上門,以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂幾乎超出了預期,被迫學習和適應相關的工具。幸運的是,通信和信息網絡的基礎設施已做出了令人難以置信的反應,在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態。網絡使用量的增長刺激了對這一關鍵基礎設施的投資力度,5G基礎設施加速部署,云計算數據中心
    • 關鍵字: MOSFET  Wi-Fi 6  202101  

    ROHM開發出實現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET

    • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出非常適用于FA和機器人等工業設備以及空調等消費電子產品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產品,其中包括支持24V輸入電壓的-40V和-60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產品作為ROHM擁有豐碩市場業績的Pch MOSFET產品,采用了第五代新微米工藝,實現了業界超低的單位面積導通電阻*3。-40
    • 關鍵字: MOSFET  

    Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能

    • 半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產品組合,重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試,可用于汽車感性負載控制,例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關斷時間(高達4倍)外,該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。  在汽車動力總成中的電磁閥和執行器控制領域,基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計,利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
    • 關鍵字: Nexperia  AEC-Q101  MOSFET  

    簡化汽車車身電機控制器設計,快速實現輕量化

    • 無論是調整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開行李箱,車身電子設備系統都可使用電機來提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)控制這些應用的電動裝置。但將MOSFET用作開關給電子控制模塊設計(包括電磁干擾(EMI)和熱管理、電流感應、斷電制動以及診斷與保護)帶來了新的技術性挑戰。德州儀器開發的集成電路(IC)電機驅動器產品集成了模擬功能,可幫助電子控制模塊設計人員應對這些挑戰,同時減小解決方案尺寸并縮短開發時間。本文中,我們將討論可幫助應對這些設計挑戰、集成到電機驅動集成電路中
    • 關鍵字: MOSFET  

    照明的光明未來

    • 要有(電)燈!但誰負責點亮呢?有許多人聲稱自己是電燈的發明者,在19世紀中葉的許多發展為世界變得更亮一點鋪平了道路。我們可能無法查明確切的“發現”!但我們知道的是,1879年,托馬斯·愛迪生(Thomas Edison)申請了第一個商業上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專利[[1]]。除了細絲材料的微小改進,包括20世紀初期從碳到鎢的轉變,我們從那時起直到最近基本上一直在使用愛迪生的古老技術。白熾燈泡迅速普及,提供了低成本和高質量的照明。但在過去的一二十年中,照明技術發生了根本性的變化,在大多數住宅和商業設施中
    • 關鍵字: MOSFET  

    三安集成完成碳化硅MOSFET量產平臺打造,貫通碳化硅器件產品線

    • 中國化合物半導體全產業鏈制造平臺 --  三安集成于日前宣布,已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V 80mΩ產品已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試,其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域,有助于減小系統體積,降低系統功耗,提升電源系統功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
    • 關鍵字: 三安集成  碳化硅  MOSFET  

    占空比的上限

    • 開關穩壓器使用占空比來實現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時間(TON)與整個周期時長(關斷時間(TOFF)加上導通時間)之比,定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡單關系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素,但在以下這些說明中,這些并不是決定性因素。開關穩壓器的占空比由各自的開關穩壓器拓撲決定。降壓型(降壓)轉換器具有占空比D,D = 輸出電壓/輸入電壓,如圖1所示。對于升壓型(升壓)轉換器,占空比D = 1 –(輸入電壓/輸出電壓)。這些關系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個模式下,電感電流在時間段T
    • 關鍵字: CCM  TON  MOSFET  

    iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優勢

    • 大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是,電力電子行業中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時,近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關,從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮GaN晶體管的優勢,需要一種具有新規格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多,并可降低開關損耗,原因在于:■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現更高的電流操作,從
    • 關鍵字: MOSFET  

    應用筆記140 - 第3/3部分:開關電源組件的設計考慮因素

    • 開關頻率優化一般來講,開關頻率越高,輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此,可減小電源的尺寸,降低其成本。帶寬更高也可以改進負載瞬態響應。但是,開關頻率更高也意味著與交流相關的功率損耗更高,這需要更大的電路板空間或散熱器來限制熱應力。目前,對于 ≥10A的輸出電流應用,大多數降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流,開關頻率可高達幾MHz。每個設計的最優頻率都是通過仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數實現的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中,電感峰峰值
    • 關鍵字: MOSFET  DCE  ESR  MLCC  

    宜普電源轉換公司(EPC)最新推出 100 V eGaNFET產品,為業界樹立全新性能基準

    • 增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204),性能更高并且成本更低,可立即發貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣,包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統。EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導
    • 關鍵字: MOSFET  QRR  QG  

    應用筆記140 第2/3部分 - 開關模式電源基礎知識

    • 為何使用開關模式電源?顯然是高效率。在SMPS中,晶體管在開關模式而非線性模式下運行。這意味著,當晶體管導通并傳導電流時,電源路徑上的壓降最小。當晶體管關斷并阻止高電壓時,電源路徑中幾乎沒有電流。因此,半導體晶體管就像一個理想的開關。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度(小尺寸)是設計人員使用SMPS而不是線性穩壓器或LDO的主要原因,特別是在高電流應用中。例如,如今12VIN、3.3VOUT開關模式同步降壓電源通常可實現90%以上的效率,而線性穩壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
    • 關鍵字: MOSFET    

    TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優值系數為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2

    • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布,推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ,器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝,10 V條件下典型導通電阻達到業內最低的61 mΩ。同時,經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積,即MOSFET開關應用重要優值系數(FOM)為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度,占位面積比采
    • 關鍵字: MOSFET  FOM  

    健康催生可穿戴多功能需求

    • 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫療健康等領域,作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備,可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業面臨的又一個新發展機遇,可穿戴設備經歷了前些年從概念火爆到實際產品大量普及的過程之后,行業前景一直穩步成長。據統計,2019年全球可穿戴技術產品市場的規模超過了500億美元,是2014年的2倍以上,可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續爆發雖然2020年全球經歷了嚴重的新冠疫情影響,部
    • 關鍵字: MOSFET  VR  MR  CGM  IDC  202009  

    ROHM為新基建帶來的功率器件和電源產品

    • 1 無線基站羅姆(ROHM)針對無線基站推出了多款解決方案,包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等,有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關、低導通電阻的特性,即使在高溫環境下也能顯示出色的電器特性,有助于大幅降低開關損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產品。其中,第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產品,特點是導通
    • 關鍵字: 耐高壓  MOSFET  DC/DC  202009  

    有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度

    • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)近日確立了一項VCSEL*1模塊技術,該技術通過提高VCSEL的輸出功率,進一步提高了空間識別和測距系統(TOF系統*2)的精度。以往采用VCSEL的激光光源中,作為光源的VCSEL產品和用來驅動光源的MOSFET產品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下,產品之間的布線長度(寄生電感*3)無意中會影響光源的驅動時間和輸出功率,這就對實現高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項新技術的確立,將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個模塊
    • 關鍵字: MOSFET  VCSEL  TOF  AGV  
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