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    TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
      • 
                    	                        
    • 關鍵字：
                        MOSFET  FOM                          
      • 
                   	
    
                    
    
                
    
                                
    
                    
    耦合電感技術的優勢
    
                                                            
                                        
                    
    
                
    
                                                

                
    
	                
    
		                	
    
	
    
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