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京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)

•    京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產(chǎn)型SiC（碳化硅）外延膜生長試制裝置”，確立對SiC晶圓進(jìn)行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導(dǎo)熱系數(shù)等特征的功率半導(dǎo)體朝著實用化邁出了一大步。目前，三家已經(jīng)開始使用該裝置進(jìn)行功率半導(dǎo)體的試制，面向混合動力車的馬達(dá)控制用半導(dǎo)體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠商供應(yīng)工程樣品，并獲得了好評”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
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