- ROHM于2011年開發了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小貼片電阻器，相比以往的0402產品尺寸成功減小了44%。2012年開發了世界最小半導體—0402尺寸的齊納二極管。2013年，產品陣容中增加了0402尺寸的肖特基勢壘二極管(SBD)，同時實現了03015尺寸的貼片電阻器量產。
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ROHM 小型化 SBD 貼片電阻
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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SiC GaN
- 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產出一款可實現更高功率密度、更低系統成本且設計更簡易的...
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光伏逆變器 SiC BJT
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關鍵字：
三菱電機 SiC
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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SiC 二極管
- 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關動作，再加上注重最佳音質的制造工藝技術，能夠實現高音質音響效果。
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新日本無線 SiC-SBD MUSES
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產品系列，推出全新的650V解決方案產品系列，新型二極管產品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業應用。
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美高森美 SiC
- GaN和SiC將區分使用 2015年，市場上或許就可以穩定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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功率 半導體 SiC GaN
- 在SiC及GaN等新一代功率半導體領域，以韓國和中國為代表的亞洲企業的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領域也顯著呈現出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴大SiC晶圓業務的亞洲企業紛紛出展。
山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
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SiC 晶圓
- 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
- 關鍵字：
PV 逆變器 SiC 功率元件
- SiC企業不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
那么，在使用功率半導體的制造現場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產品已逐漸由
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SiC GaN
- GT Advanced Technologies(納斯達克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產爐。 SiClone100采用升華生長技術，能生產出高品質的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。
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GT SiC 晶體
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
- 關鍵字：
GaN 半導體 SiC
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- SiC集成技術在生物電信號采集設計, 人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體
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SiC 集成技術 生物電信號采集
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