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    rf-soi 文章 最新資訊

    下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

    •   在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點,直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。   根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出,14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當,而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
    • 關鍵字: ST  FD-SOI  10nm  

    ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

    •   12月13日,意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術,這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時,而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗,意法半導體28納米技術的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應用市場的需求。   FD-SOI技術平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設計平臺和設
    • 關鍵字: ST  晶圓  FD-SOI  

    利用RF預失真實現(xiàn)功放線性化

    • 線性是多模多載波無線網(wǎng)絡的一個關鍵性能,這些網(wǎng)絡包括寬帶第三代(3G)和第四代(4G)蜂窩系統(tǒng),包括減小了覆蓋區(qū)域并且采用低發(fā)射功率架構的小型蜂窩基站。其亮點在于射頻/微波功率放大器(PA)能以低成本和低系統(tǒng)功耗提
    • 關鍵字: 功放  線性  實現(xiàn)  失真  RF  利用  

    意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術

    • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術,這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。
    • 關鍵字: 意法  納米  FD-SOI  

    手機射頻技術及發(fā)展趨勢分析

    • 近年來隨著電子技術的高速發(fā)展,越來越多的功能集成到手機中。
    • 關鍵字: 射頻  收發(fā)器  RF  

    內(nèi)嵌RF燈泡市場預計在2013年起飛

    • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
    • 關鍵字: IMS  內(nèi)嵌  RF  燈泡  市場  

    IMS:內(nèi)嵌RF燈泡市場預計在2013年起飛

    •   國外國外 市場研究機構IMS Research 預測,2013年將會是內(nèi)嵌RF功能燈泡的起飛年,有越來越多大廠計劃推出支持各種無線技術的新型照明產(chǎn)品。根據(jù)該機構最近發(fā)布的照明控制連網(wǎng)技術商機報告預估,2013年內(nèi)嵌RF燈泡出貨量以及搭配的遠程控制器出貨量將超過60萬套,該數(shù)字在2017年將進一步增長至1,170萬。   IMS Research 指出,內(nèi)嵌RF燈泡市場的成長動力來自多個方向,其中最重要的是通過智能手機控制照明的功能,除了在家中的控制,有部分系統(tǒng)還提供使用者從外面進行居家照明遠程控制的
    • 關鍵字: Osram  LED燈泡  RF  

    Microsemi推出硅鍺技術單片RF前端器件

    • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出世界首個用于IEEE 802.11ac標準的第五代Wi-Fi產(chǎn)品的單片硅鍺(SiGe) RF前端(FE)器件。
    • 關鍵字: 美高森美  RF  WiFi  

    sE Electronics RF防反射隔聲罩獲美國專利

    •   sE Electronics的產(chǎn)品——RF防反射罩系列已獲得了美國專利保護。在中國,sE的RF系列已經(jīng)獲得了專利。sE正申請歐盟的專利。    ?   美國專利號8191678——由一只話筒與一個復合材料的吸音板組合成的裝置。復合吸音板包括各種不同頻段的吸音材料。該材料集成在一個單一的層中或在多個不同的層中。   便攜式人聲防反射罩這一概念最初由sE的創(chuàng)始人鄒四維先生提出。sE于6年前正式推出專業(yè)版的RF防反射罩。隨著第一批專業(yè)防反
    • 關鍵字: sE  RF  防反射罩  

    RF防反射隔聲罩獲美國專利

    • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
    • 關鍵字: sEElectronics  防反射隔聲罩  專利  RF  

    華潤上華第二代200V SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)

    •   華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術,由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級,達到更高的性價比,這在國內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術,具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的SOI工藝技術能力。
    • 關鍵字: 華潤微電子  半導體  SOI  

    華潤上華200V SOI工藝開發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺階

    • 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術,由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級,達到更高的性價比,這在國內(nèi)尚屬首家。
    • 關鍵字: 華潤上華  SOI   CDMOS  

    數(shù)字RF調(diào)制器為有線網(wǎng)絡融合接入平臺提供高效方案

    • 隨著視頻和數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務對電纜帶寬需求的提高,下行數(shù)據(jù)速率正在以30%~40%的速率逐年提高。此外,消費者也希望以相同的數(shù)據(jù)速率使用家中不斷增加的互聯(lián)裝置。從長期目標來看,當前采用的模擬下行調(diào)制解調(diào)器很難滿足成
    • 關鍵字: 平臺  提供  高效  方案  接入  融合  RF  調(diào)制器  有線  網(wǎng)絡  

    當RF遇到模擬信號和數(shù)字信號

    • 當前,對工程師們來說,EMI (電磁干擾)和EMC(電磁兼容性)即使不算災難,也算是非常棘手的任務。這是因為如果沒適當?shù)墓ぞ?,找到略微超出極限的、討厭的EMI輻射的來源可能會非常麻煩,這種EMI輻射可能會橫跨RF信號、模
    • 關鍵字: 信號  數(shù)字  模擬  遇到  RF  

    TriQuint與Richardson RFPD合作提供廣泛的創(chuàng)新氮化鎵產(chǎn)品選擇

    •   TriQuint自1999年起一直是氮化鎵研發(fā)領域的先驅者,并在2008年推出首批商業(yè)產(chǎn)品和發(fā)布了氮化鎵的代工。TriQuint通過廣泛的氮化鎵產(chǎn)品系列,和其出色的高頻0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 (GaN on SiC) 代工服務,繼續(xù)保持其在高功率射頻半導體領域的領先地位。憑借其安全可靠的美國工廠在集成和封裝單個與多個晶粒方面的獨特能力的支持,TriQuint致力于提供世界級、從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新,包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。   通過Richardson RFPD
    • 關鍵字: TriQuint  RF  
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