- PCB新手看過來]POWER PCB內層屬性設置與內電層分割及鋪銅 看到很多網友提出的關于POWER PCB內層正負片設置和內電層分割以及鋪銅方面的問題，說明的帖子很多，不過都沒有一個很系統的講解。今天抽空把這些東西
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POWER PCB 內電層 分割
- IBM正在為Power處理器開發一種深休眠模式，該模式可以讓芯片在空閑時幾乎不耗費能源。IBM的Power7芯片已經有三種休眠模式，分別為 nap，sleep和heavy sleep。這三種模式是否執行或執行哪種方式由當時處理器的負載和某應用程序能容忍多大的延遲來決定。
這種新的休眠模式會幾乎完整的切斷處理器的電源，同理，從該模式恢復過來的時間也比較長，大約10到20毫秒。
IBM已將這種模式定名為“Winkle”。但哪款芯片將采用新的休眠模式還未可知，官方也沒有更
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IBM Power 處理器
- 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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進行 緩沖 電壓 關斷 轉換器 FET 如何
- MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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MOS-FET 開關電路
- 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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J-FET 開關電路 工作原理
- 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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VOO 檢驗 VP FET 結合 使用 萬用表
- 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩態多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數量，事先了
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FET 輸入 OP放大器 模擬定時電路
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調制（AM）等效，可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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VCA FET 幅度調制 乘法運算電路
- 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發生變
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FET 結型 電壓控制 放大器
- Vishay在官方網站上發布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產品中的解決方案的視頻介紹
賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
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Vishay Power Metal Strip 分流電阻
- 在近日舉辦的國際固態電路研討會ISSCC上，IBM公司介紹了一種定位介于服務器處理器和網絡用處理器之間的新型處理器，他們將這種處理器命名為 Wire-Speed Power處理器，這種處理器據IBM公司稱是面向新的系統級產品市場推出的，其應用領域包括網絡邊緣設備，服務器智能化I/O以及分布式運算等。
IBM公司負責wire-speed架構設計的首席設計師Charlie Johnson表示：“我認為這款產品是IBM有史以來開發的最復雜的產品。”IBM方面展示的有關介紹文件稱
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IBM 處理器 Wire-Speed Power
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協議，收購FET的場發射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發明，以及相關設備等資產。
FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統CRT相
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友達 FED FET
- 臺灣友達科技近日宣布，他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協議，友達將出資收購FET公司的部分資產，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，FED技術實施方案，以及FED面板生產用設備等。
FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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友達 FED FET
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