onsemi 文章 最新資訊
介紹一款基于PoE的互聯(lián)照明設(shè)計
- 智能住宅、辦公室和工廠的設(shè)計人員正在不斷尋求新的方法來提高用于提供和管理建筑設(shè)施的系統(tǒng)能效。在過去，數(shù)據(jù)和電力網(wǎng)絡(luò)是分開安裝的，目的是為了各自執(zhí)行明顯不同的功能，但這需要在建筑結(jié)構(gòu)內(nèi)安裝兩種完全不同的電纜類型。現(xiàn)在，以太網(wǎng)供電(PoE)的發(fā)展提供了一種方法，讓一些設(shè)備(如攝像頭、電話、無線路由器)從其數(shù)據(jù)電纜中獲取電力，以減少對交流電力電纜的需求。照明作為PoE的一個潛在應(yīng)用領(lǐng)域，正獲得越來越多的關(guān)注。在這篇文章中，我們探究互聯(lián)照明系統(tǒng)在智能建筑系統(tǒng)的部署和管理中可以發(fā)揮的作用，并考慮照明和建筑自動化之間
- 關(guān)鍵字： Onsemi PoE 互聯(lián)照明
基于安森美半導(dǎo)體 NCP12601 應(yīng)用在PD 65W電源管理方案
- 隨著電子產(chǎn)品日新月異的發(fā)展，越來越多的電子產(chǎn)品實現(xiàn)了小型化，便于攜帶，因此充電器市場爆發(fā)巨大潛能，各大品牌半導(dǎo)體都推出了自己相應(yīng)的解決方案，目前市場上USB-PD 受到市場的歡迎，安森美半導(dǎo)體也推出多種PD方案：有用于高功率密度跑高頻的有源鉗位反激方案NCP1568，因為此方案需要增加一個專用的MOSFET 及MOSFET Driver用來做反激電壓尖峰的吸收，因此會增加電源成本； 高頻準諧振方案NCP1342是一個簡單的反激拓撲，可以在減小磁性器件的同時做高頻驅(qū)動以減小電源體積；用于普通功率密度工作于低
- 關(guān)鍵字： onsemi 電源 USB-PD NCP12601
基于安森美半導(dǎo)體雙管正激NCL30125的300W電源
- 雙管正激式變換器與單管正激拓撲的大部分原理是相同的，但雙管正激式的突出優(yōu)點有三：(1)變壓器儲能有釋放回路，不需要另設(shè)復(fù)位電路或復(fù)位繞組。主要原因是在開關(guān)管導(dǎo)通時，變壓器勵磁，而開關(guān)管閉合時由橋臂上的兩個二極管續(xù)流，磁芯去磁，同時磁芯能量返回直流電源。(2)變壓器初級電路半導(dǎo)體器件承受的電壓等于轉(zhuǎn)換器的輸入電壓Ui。而單管正激需要高得多的耐壓器件。(3)雙管正激相對于其他多管的變換器拓撲而言，兩只開關(guān)管無直通短路的危險。因兩只開關(guān)管在橋的對角線上，正常工作時就是兩管同時開通，同時關(guān)斷，此時變壓器初級繞組承
- 關(guān)鍵字： onsemi NCL30125 雙管正激 300W消費電源
基于安森美半導(dǎo)體 NCL30386的節(jié)能可調(diào)光9W LED交通號志燈方案
- 新型的節(jié)能道路用交通號志燈，每只燈盤通常配備不同的LED晶粒組合，其額定功率介于6W~18W。針對紅、黃、綠三色LED燈座，研發(fā)人員要如何從眾多品牌中找到合適的驅(qū)動IC型號并且設(shè)計出一款共用性高的LED電源驅(qū)動模組呢?新型的節(jié)能道路用交通號志燈，每只燈盤通常配備不同的LED晶粒組合，其額定功率介于6W~18W。針對紅、黃、綠三色LED燈座，研發(fā)人員要如何從眾多品牌中找到合適的驅(qū)動IC型號并且設(shè)計出一款共用性高的LED電源驅(qū)動模組呢?本方案利用NCL30386 的內(nèi)建類比調(diào)光腳-ADIM功能，工作人員只需要
- 關(guān)鍵字： onsemi NCL30386 LED Single Stage FLYBACK PSR Power Factor 交通號志燈
基于安森美半導(dǎo)體 NCP1632 Interleave PFC應(yīng)用于的 1KW 馬達驅(qū)動器解決方案
- 馬達驅(qū)動系統(tǒng)是工業(yè)環(huán)境中自動化系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，因為它們在電力消耗中占很大比例。這種驅(qū)動系統(tǒng)在實現(xiàn)節(jié)能方面具有核心作用。隨著自動化的發(fā)展速度，馬達驅(qū)動是未來工業(yè)設(shè)施的中堅力量。因應(yīng)市場的增長及要求，安森美半導(dǎo)體關(guān)注于提高馬達驅(qū)動系統(tǒng)的效率，同時為更高的電流、更精確的控制和更好的系統(tǒng)可靠性進行設(shè)計。安森美半導(dǎo)體完整的馬達驅(qū)動解決方案，通過領(lǐng)先業(yè)界的 MOSFET、IGBT、柵極驅(qū)動器和電源模組解決了這一挑戰(zhàn)。而此方案，支援各種低電壓電機，包括有刷、無刷和步進馬達，并提供可隔離及高性能運算放大器，保證用電安
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1632 Motor Driver onsemi
用于工業(yè)自動化的無刷直流電機
- 工業(yè)或工廠自動化是 BLDC 電機在工業(yè)細分領(lǐng)域增長最快的終端應(yīng)用之一。隨著工廠從更傳統(tǒng)的有刷或步進電機轉(zhuǎn)向 BLDC發(fā)展，以獲得更高的效率和性能，對三相柵極驅(qū)動器的需求也在增長。在工廠機器人和協(xié)作機器人等終端應(yīng)用設(shè)計中會使用多個電機。NCD83591是一款60 V、3相柵極驅(qū)動器，專為無刷直流（以下簡稱“BLDC”）電機應(yīng)用而設(shè)計，集成了三個獨立的半橋驅(qū)動器和一個檢測放大器，以提供簡單易用的柵極驅(qū)動器。該方案憑借其小封裝尺寸和柵極驅(qū)動架構(gòu)提供高功率密度且易于使用，是工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。NCD83591的
- 關(guān)鍵字： Onsemi
基于安森美半導(dǎo)體NCL30488 IC 應(yīng)用于Single –Stage & PSR LED 照明方案
- 1. 方案介紹NCL30488是一款具有功率因數(shù)校正功能，且有一次側(cè)恒壓（CV）和恒流（CC）的控制，適用于反激式架構(gòu)(Flyback)，降壓-升壓架構(gòu)或SEPIC架構(gòu)之轉(zhuǎn)換器。NCL30488采用SOIC 8封裝，以高性能LED驅(qū)動器為應(yīng)用目標。這控制器集成了專有電路，可進行功率因數(shù)校正和恒流控制，從而使應(yīng)用之電源輸入的功率因數(shù)高于0.9，并且總諧波失真可低于10％。由于采用了新穎的控制方法，該器件能夠嚴格調(diào)節(jié)來自初級側(cè)的恒定LED電流。這消除了對次級側(cè)反饋電路和光耦合器的需求。使該器件高度集成，具有最
- 關(guān)鍵字： ONSemi NCL30488 LED照明
基于ON Semiconductor NCP1034 的25W模塊型DC/DC鐵路電源方案
- 近年來隨著鐵路事業(yè)日新月異的迅猛發(fā)展,電力電源的應(yīng)用市場不斷增長，使得電力電源行業(yè)在“十二五”期間出現(xiàn)了穩(wěn)定增長的趨勢。伴隨“十二五”期間經(jīng)濟持續(xù)穩(wěn)定增長的態(tài)勢，電力電源需求將不斷增長。鐵路電力電源產(chǎn)品競爭力不斷增強，鐵路電力電源行業(yè)規(guī)模將不斷增長。鐵路車輛控制電子設(shè)備的供電主要是通過車載蓄電池進行供電，蓄電池可以用電池充電器，輔助逆變器和裝有電子調(diào)整的發(fā)電機或發(fā)電機組充電。輔助設(shè)備啟動或者電池充電器電壓波動過程均會影響蓄電池的輸出電壓。在蓄電池的電壓波動過程中，車輛靜止電子設(shè)備不應(yīng)該引起功能的改變。為了
- 關(guān)鍵字： ONSemi 鐵路 模塊電源 DCDC NCP1034
安森美半導(dǎo)體（NCP11187A65）白色家電和工業(yè)設(shè)備的45 W輔助電源
- NCP11187 是一種高度增強的電源芯片，集成了采用峰值電流模式 PWM 控制器，以及 800V 超級結(jié)II Mosfet。它具有一個高壓啟動電路，恒定輸出功率限制，有各種保護。具有成本效益的離線電源，具有更少的 BOM 器件數(shù)和更小的 PCB 尺寸和高效率。此外，盡管有多個輸出，但它仍然可以得到較低的待機功耗，低于通常的 50mW。該參考板包括四個部分，EMI濾波器、主側(cè)控制、二次輸出和反饋電路部分。部分器件描述如下。1. EMI濾波器由共模濾波器 LF101、X-電容器 CX101和 CX102 和
- 關(guān)鍵字： ONSemi 白家電 電源 輔助電源 45W電源 NCP11187A65
安森美半導(dǎo)體多元操作模式(CrM.DCM.CCM) PFC IC NCP1655應(yīng)用于500W with STB電競桌機電源
- 電腦發(fā)展至今已擴展至眾多領(lǐng)域，電競電腦及服務(wù)器運用因其高速、大容量和多重連線的特點，預(yù)期將為電競電腦及服務(wù)器帶來更多爆炸性的成長。相對電競及服務(wù)器電源需求也有等比例的需求成長。 因應(yīng)電競電腦及服務(wù)器的應(yīng)用普及，安森美提出高效能PFC多元操作模式IC NCP1655的設(shè)計方案，且NCP1655輸入電壓由90V至265VAC，無論在輕載/半載/全載情境下，皆能提高轉(zhuǎn)換效率。加上快速的負載暫態(tài)補償響應(yīng)，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應(yīng)后級電源時序控制，NCP1655應(yīng)用達到高效率，
- 關(guān)鍵字： Onsemi CrM DCM CCM PFC NCP1655 電競 電源
大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi產(chǎn)品的360W高效電源方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）新一代NCP1618、NCP13994和NCP4318芯片的360W高效電源方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的360W高效電源方案的展示板圖近幾年電腦市場開啟了CPU“核戰(zhàn)”時代，各大廠商與消費者對于多核性能的狂熱追求，使電腦的CPU正在向多核方向發(fā)展。伴隨著這一趨勢，電腦的功耗一路攀升，這也在一定程度上促進了電腦電源的創(chuàng)新發(fā)展。從功率到效率，從體積到功能，隨著電腦CPU的提升，電源的性
- 關(guān)鍵字： 大聯(lián)大 友尚 onsemi 電源方案
安森美半導(dǎo)體推出新一代Totem Pole 功率因數(shù)調(diào)整控制IC NCP1680 應(yīng)用于300W超高效網(wǎng)通電源
- 行動通訊電腦發(fā)展至今已近40年，第五代行動通訊技術(shù)(簡稱5G)是最新一代行動通訊技術(shù)，5G的效能目標是高資料速率、減少延遲、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量和大規(guī)模裝置連接。為因應(yīng)5G基地臺應(yīng)用普及節(jié)省電源需求，安森美半導(dǎo)體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680設(shè)計方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%，符合5G通訊訴求之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求，加上NCP1680快速的負載暫態(tài)補償響應(yīng)，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能，特別是具有
- 關(guān)鍵字： onsemi NCP1680 Totem Pole PFC 圖騰柱
基于onsemi NCP1345 +NCP4307 +FUSB15101 的65W PD電源適配器方案
- 該方案設(shè)計是一個65w的C型接口PD充電器，通用交流輸入，恒壓電源，用于智能型手機，平板計算機，NB,適配器支持PD3.0/PPS/BC1.2等等。方案使用ON NCP1345 QR PWM控制器，NCP4307同步整流控制器，F(xiàn)USB15101 PD協(xié)議控制器組成。?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)勢1、QR反激拓撲。 2、內(nèi)部集成X2電容放電。 3、寬VCC電壓范圍8V~38V. 4、36.5V VCC OVP保護 5、繞組短路異常電流故障檢測 6、更低的空載損耗 7、雙?引腳VCC P
- 關(guān)鍵字： onsemi NCP1345 NCP4307 +FUSB15101
友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡線路與提高功率密度
- NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設(shè)計高性能電源轉(zhuǎn)換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉(zhuǎn)換器, 包括雙 VCC 架構(gòu), 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側(cè)的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無論設(shè)計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR）專有波谷鎖定電路，以確保穩(wěn)定的波谷切換,當下降到第6
- 關(guān)鍵字： onsemi 電源轉(zhuǎn)換 NCP1345 氮化鎵
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設(shè)計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
onsemi介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條onsemi!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對onsemi的理解，并與今后在此搜索onsemi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對onsemi的理解，并與今后在此搜索onsemi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
onsemi研討會推薦
onsemi電路
onsemi相關(guān)帖子
onsemi資料下載
onsemi專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473