- CAM350不可不知的兩大應用技巧-有些資料的文字層有很多文字框，且文字框到線路PAD 間距不滿足制程能力時；當資料有大面積銅箔覆蓋，線路或PAD與銅皮的距離不在制作要求之內，且外型尺寸又較大時...可借鑒本文的處理方法
- 關鍵字：
Flash CAM350 PAD
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，如嵌入式產品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。 1989年，東芝公司發表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
- 關鍵字：
Nand Flash 東芝
- 一招教你如何使用嵌入式參數代碼，入門必懂知識-如果有幾個設置參數需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數捆綁成一種結構體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數存儲到固定的地址，則每個參數都將占用Flash的一個塊。而將全部參數捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數修改時，也需要將全部參數一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
- 關鍵字：
ram flash 源代碼
- 隨著各大供應商對NOR Flash的不斷加大投入，未來其市場將會逐漸趨于飽和，利潤也會越來越小，至于整體趨勢還有待觀察。
- 關鍵字：
NOR 兆易創新
- 集邦咨詢內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第二季的DRAM產業營收表現再度創下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務器用內存第二季價格上漲逾一成，行動式內存則因中國品牌手機廠下修出貨數量，價格僅小幅上漲5%內。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續轉進，大規模的擴張產能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
- 關鍵字：
DRAM NOR
- 曾經飛索的破產和三星的退出使NOR FLASH行業重新洗牌，同年美光稱霸，臺灣廠商崛起，NOR FLASH漲價，行業迎來一波反彈。
- 關鍵字：
硅晶圓 NOR
- 供給端：原材料價格調漲，大廠退出
原材料漲價
今年以來半導體硅晶圓市場出現八年以來首度漲價情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進工藝占比不斷提高，加大對高質量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉產3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時工業與汽車半導體、CIS、物聯網等IC芯片開始快速增長，大陸半導體廠商大舉建廠擴產，帶來新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺，前六大廠商市占98%，在硅片
- 關鍵字：
NOR 晶圓
- 自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。
- 關鍵字：
DRAM Flash
- 這個時間點我們討論Nor Flash行業趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業績即將公布，而相關公司一季度業績沒有充分反映行業變化;另一方面是相關標的與行業基本面也出現了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創新收到證監會反饋意見等)，同時我們調高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究;
汽車電子與工控拉動行業趨勢反轉 TDDI+AMOLED新需求錦上添花
1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉
從各方面驗證，2016年是NOR
- 關鍵字：
存儲 NOR
- UFS普及并不缺乏機會，Flash產能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關鍵因素了。
- 關鍵字：
Flash UFS
- 如今某些網絡新聞媒體缺乏基本的職業道德，為博眼球胡謅瞎報，誤導群眾，損人又害己，更有可能會影響NOR Flash行業良性發展。
歪曲報道如下：
武漢新芯廠內傳出化學污染事件，雖然沒有造成人員傷亡，但是造成NOR Flash產線制程污染，影響產能在9000片左右，市場預料，將造成NOR Flash產能缺口。
由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場，使中低容量產品全球供給量遭遇缺口，現在武漢新芯受到化學污染，有望再度推升NOR Flash報價，市場最
- 關鍵字：
武漢新芯 NOR
- 以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優點有效地結合起來，實現了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數據的存儲處理和與上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環境監測儀中成功應用。
- 關鍵字：
Flash 串行存儲 FPGA
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數據采集與存儲系統的設計與實現,給出了系統的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設計進行了詳細描述。系統以FPGA作為數據的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質。該系統主要由數據采集模塊、數據存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統滿足設計要求。
- 關鍵字：
數據采集 Flash FPGA
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
