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    nor flash 文章 最新資訊

    使用NOR門構建基本邏輯門

    • 邏輯門基本上由三個基本邏輯門組成,分別稱為 NOT、AND 和 OR 門。所有邏輯門都有各自相同的邏輯功能。通過這些邏輯門的組合,我們可以得到任何布爾或邏輯函數或邏輯功能。基本邏輯門的真值表:在了解轉換之前,我們首先需要了解每個邏輯門的工作原理。1. NOT 邏輯門:這是最簡單的數字邏輯電路類型。這些門是一個兩端設備,一個是輸入端,另一個是輸出端,NOT 門的輸入只能是二進制數,即可以是 0,也可以是 1。NOR 邏輯門的輸出總是與輸入相反,也就是說,如果我們在輸入端輸入邏輯 1,那么輸出端將是邏輯 0,
    • 關鍵字: NOR  邏輯門  

    NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%

    • 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
    • 關鍵字: NAND Flash  

    基于FPGA的NAND Flash的分區續存的功能設計實現

    • 傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數據,會覆蓋上次存儲的數據,無法進行數據的連續存儲。針對該問題,本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間,記錄最新分區信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態機圖,并進行了驗證。
    • 關鍵字: 202308  NAND Flash  FPGA  分區  起始地址  

    ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

    • 簡單解釋ROMROM:只讀存儲器,內容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios,在系統裝好的電腦上時,計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存,然后通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲器,可重復使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM:隨機存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數據的內部存儲器
    • 關鍵字: ROM  RAM  FLASH  DDR  EMMC  

    6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

    • 據TrendForce集邦咨詢調查,5月起美、韓系廠商大幅減產后,已見到部分供應商開始調高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預期今年第三季起將轉為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產品庫存仍待促銷去化,現階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
    • 關鍵字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

    傳鎧俠/西數合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星?

    • 近日,據日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數據的合并經營已經進入最終收尾調整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數據既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱,鎧俠和西部數據正在探討出資設立新公司、統一開展半導體生產及營銷的方案等,未來雙方將進行經營合并,擬由鎧俠掌握主導權,關于出資比率等將繼續探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業績低迷,鎧俠和西部數據此舉意在提升經營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
    • 關鍵字: 鎧俠  西數  NAND Flash  三星  

    DDR5 重新下跌,內存現貨價格未見回暖

    • 業界對 DDR5 DRAM 的市場預期不太樂觀。
    • 關鍵字: NAND Flash  NAND  DDR5  

    需求持續下修,第一季NAND Flash總營收環比下跌16.1%

    • 據TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應商持續透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產業營收約86.3億美元,環比減少16.1%。SK集團(SK hynix & Solidigm)及西部數據(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現,環比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環比減少24.8%
    • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

    兆易創新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

    • 中國北京(2023年5月16日) —— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度僅為0.4mm,容量高達128Mb,是目前業界在此容量上能實現的最小塑封封裝產品,可在應對大容量代碼存儲需求的同時,提供極大限度的緊湊型設計自由。近年來,隨著物聯網、可穿戴、健康監護、網通等應用的快速發展,市場需求變化多樣,不僅要在精致小巧的產品形態中
    • 關鍵字: 兆易創新  超小尺寸  SPI NOR Flash  

    復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

    • 4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發存儲新產品。FM25/FM29系列產品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數和數據保存10年的高可靠性要求,應用于工規、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
    • 關鍵字: 復旦微電  NAND Flash  EEPROM  存儲器  

    英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產品

    • 【2023 年 04 月 10日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產品。這種存儲器經過專門優化,適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監測儀、無人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業應用不斷涌現,有助于實現精準跟蹤、記錄關鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進的功能和使用場景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據Omdia 數據顯示,藍牙耳
    • 關鍵字: 英飛凌  SEMPER  Nano NOR Flash  閃存  

    預估第二季NAND Flash均價續跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

    • 即便原廠持續進行減產,然需求端如服務器、智能手機、筆電等需求仍未見起色,NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態,故TrendForce集邦咨詢預估,第二季NAND Flash均價仍將持續下跌,環比下跌幅度收斂至5~10%。而后續恢復供需平衡的關鍵在于原廠是否有更大規模的減產,TrendForce集邦咨詢認為若目前需求端未再持續下修,NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈,反之,若旺季需求端持續疲弱,均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件庫存去化已見成
    • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

    NAND Flash 大降價,固態硬盤取代機械硬盤指日可待

    • 相信有很多小伙伴已經注意到了,目前市場上很多固態硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據集邦咨詢的數據顯示,NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風,供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業級固態硬盤)是下跌最劇烈的產品,跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息,但對于普通消費者來說,我們確實能買到更便宜的固態
    • 關鍵字: NAND Flash  

    存儲器廠商Q1虧損恐難逃

    • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續跌,加上庫存水位過高,終端消費支出持續放緩,據外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業務恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產及跌價導致營收及毛利率持續下滑,第一季本業虧損恐將在所難免。據外電報導,三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產達到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠高于2021年的41.4兆韓元并創下歷史新高。其中,占三星營收比重最高的半導
    • 關鍵字: 存儲器  DRAM  NAND Flash  

    存儲大廠展示300層NAND Flash,預計最快2024年問世

    • 近日,在第70屆IEEE國際固態電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市,有望打破紀錄。外媒報導,SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發,提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
    • 關鍵字: 300層  NAND Flash  SK海力士  
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    nor flash介紹

    NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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