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Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管，可提供高精度基準(zhǔn)電壓
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準(zhǔn)電壓。這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用，提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia表面貼裝器件通過汽車應(yīng)用的板級可靠性要求
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片F(xiàn)latPower封裝CFP15B首次通過領(lǐng)先的一級供應(yīng)商針對汽車應(yīng)用的板級可靠性 (BLR)測試。該封裝將首先應(yīng)用于發(fā)動機(jī)控制單元。 BLR是一種評估半導(dǎo)體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴(yán)格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車應(yīng)用中具有重要的指導(dǎo)意義。隨著汽車行業(yè)向電動和車聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)型，車載電子系統(tǒng)越來越復(fù)雜，因此該認(rèn)證至關(guān)重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產(chǎn)品經(jīng)理Guido S?h
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Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功，本屆為期三天的活動將擴(kuò)大規(guī)模，涵蓋與功率電子元件相關(guān)的眾多主題，包括面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。 會議重點將包括：l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性，并降低在設(shè)計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險。 l
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Nexperia再度蟬聯(lián)博世全球供應(yīng)商大獎
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia非常榮幸地宣布，公司榮獲博世全球供應(yīng)商榮譽(yù)大獎“采購直接材料 - 移動解決方案”。連續(xù)兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商博世已建立長期協(xié)作關(guān)系，包括合作進(jìn)行早期階段的產(chǎn)品開發(fā)，以應(yīng)對汽車行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。 博世供應(yīng)鏈管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供應(yīng)商大獎旨在表彰全球各地的最佳供應(yīng)商。作為開發(fā)和創(chuàng)新領(lǐng)域的合作伙伴，他們在幫助博世保持競爭力方面發(fā)揮了重要作用。” 每隔兩年，博世會從全球各地的供應(yīng)商中挑
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適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET
- 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本。基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強(qiáng)了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設(shè)計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝，為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴(kuò)大了具有散熱和電氣優(yōu)勢的DPAK封裝的產(chǎn)品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應(yīng)用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級器件和工業(yè)級器件標(biāo)準(zhǔn)，額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
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獨立半導(dǎo)體設(shè)備制造商ITEC借助高生產(chǎn)率的芯片組裝系統(tǒng)緩解半導(dǎo)體短缺問題
- 由飛利浦（現(xiàn)為Nexperia）于1991年創(chuàng)立的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ITEC，今日宣布成為獨立實體。ITEC仍然是Nexperia集團(tuán)的一部分。通過此舉，ITEC能夠及時解決第三方市場的問題，滿足對半導(dǎo)體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導(dǎo)體制造商提供經(jīng)久耐用的創(chuàng)新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導(dǎo)體生產(chǎn)的前沿。總經(jīng)理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我們將30多年來的自動化專業(yè)知識與最先進(jìn)的設(shè)備結(jié)合起來。ITEC致力于將最新的
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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標(biāo)和投資，進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導(dǎo)體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領(lǐng)新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標(biāo)準(zhǔn)邏輯DHXQFN封裝
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出用于標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如，16引腳DHXQFN封裝比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DQFN16無引腳器件小45%。新封裝不但比競爭產(chǎn)品管腳尺寸更小，而且還節(jié)省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm（14 引腳）、2 mm x 2.4 mm（16引腳）、2 mm x 3.2 mm（20引腳）和2 mm x 4 mm（24引腳），0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。器件包括：十六路反向
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Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資
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Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布了全球增長戰(zhàn)略最新舉措，即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴(kuò)建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠和全球的研發(fā)基地。 新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導(dǎo)體和電源管理IC等領(lǐng)域的研發(fā)，并將支持舉辦招聘活動，吸引更多芯片設(shè)計師和工程師人才。 Nexperia首席運營官Achim Kempe表示：“全球半導(dǎo)體市場正逐漸走出去年上半年以來的頹勢，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷售額為14億美元，銷量從去年第三季度和第四
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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
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Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關(guān)應(yīng)用提高效率
- 奈梅亨，2021年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布擴(kuò)充了旗下的Trench肖特基整流器產(chǎn)品組合，最新推出額定電壓和電流分別高達(dá)100 V和20 A的全新器件，具有出色的開關(guān)性能和領(lǐng)先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝，管腳尺寸遠(yuǎn)小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時，大幅減少存儲在器件中的Qrr電荷。因而，Trench肖特基整流器能夠?qū)崿F(xiàn)超快的開關(guān)速度，既能減少整流器的開關(guān)損耗，又減少了同一換向單元中MOS
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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