Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
—— ? 參與面向汽車和工業應用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管現場討論；直接觀看點播來自Nexperia實驗室視頻演示
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本文引用地址：http://www.czjhyjcfj.com/article/202108/427892.htm
會議重點將包括：
l MOSFET全電熱模型
Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽，該模型可以在仿真中準確呈現器件的靜態和動態特性，并降低在設計過程后期發現EMC問題的風險。
l 650V CCPAK貼片封裝氮化鎵器件評估
行業領先的CCPAK封裝氮化鎵器件的評估板即將推出，便于使用雙脈沖測試評估其特性和優勢。
l 功率MOSFET在工業應用中的設計
無論出于什么原因、什么時間需要一路500 A的MOSFET，它都需要能優化關鍵特性并管理涌入電流和熱SOA曲線。
l 肖特基整流器、鍺化硅整流器或恢復(PN)整流器？
如何通過選擇最合適的功率二極管，在LED驅動器或電磁閥驅動器等汽車應用中實現出色的效率和可靠性。
整個議程將包括現場演示，邀請工程師討論當今使用功率器件進行設計時面臨的最大挑戰，同時還會展示Nexperia重要合作伙伴的案例研究和貢獻。在活動期間，參會者還可以觀看Nexperia資深功率專家直接從公司全球實驗室為大家帶來的最新技術演示。
此次‘Power Live’活動將于9月23日（星期四）結束，由Nexperia和行業專家共同參與的GaN小組討論將是最后一場活動。這將是一場針對探討對技術和市場想法及影響的開放式論壇，非常歡迎與會者的傾情貢獻。
Nexperia全球營銷主管Robby Ferdinandus針對‘Power Live’評論道：“去年我們第一次舉辦活動時得到了非常棒的反饋。超過700多名工程師注冊參加，并且許多人表示能與現場會議中志同道合的伙伴交流，討論常見的設計挑戰，這種體驗十分寶貴。”
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