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    nand 文章 最新資訊

    美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

    •   美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。   Crucial SSD的售價為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項,而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認(rèn)的
    • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

    TrendForce:市況逐步回穩(wěn),第二季NAND Flash品牌商營收季成長3.4%

    •   受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報告顯示,第二季eMMC、消費級固態(tài)硬盤與企業(yè)級固態(tài)硬盤的合約價跌幅開始收斂,渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢。        DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第三季
    • 關(guān)鍵字: 美光  NAND   

    武漢新芯“3D NAND”項目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可

    • 武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目可行性專家評審會,業(yè)內(nèi)專家對
    • 關(guān)鍵字: 3D  NAND   

    SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進

    • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運,事業(yè)群自行加強競爭力,而SK海力士
    • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND   

    三星、東芝競擴產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

    • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli最
    • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

    8月NAND合約價 較上月跌近2成

    • 根據(jù)研調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續(xù)跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%
    • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  Flash芯片   

    三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

    • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包
    • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

    三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

    • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
    • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

    SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲芯片大揭秘

    • 現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop,I
    • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  存儲技術(shù)  

    IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

    • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
    • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

    NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

    • 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我
    • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

    NAND Flash合約價 恐一路跌到年底

    • 市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
    • 關(guān)鍵字: NAND  Flash   

    美光:始終專注企業(yè)級閃存 觀望3D NAND

    • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
    • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級閃存  NAND   

    如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

    • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點,他們強調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
    • 關(guān)鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

    3D NAND競爭火熱 三星成市場最大贏家

    • 最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高,許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中,又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多,取得領(lǐng)先地位。
    • 關(guān)鍵字: 3D NAND  三星  
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    nand介紹

    一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

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