- DRAM大廠南亞科董事長吳嘉昭認為，明年第2季起，DRAM市場就會供需平衡，且若市場未有大量新產能開出，下半年DRAM可望再度供不應求。
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南亞科 DRAM 市場
- 6月末也是在大阪召開G20結束的時間，此次出口限制可謂是對韓國企業的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰時的“日本偷襲珍珠港”。
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日韓貿易戰 半導體 光刻 DRAM
- 新聞摘要：? 16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業內最高容量的單片式裸晶，它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領域的領先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業內容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數據率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
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LPDDR4X 批量生產進入1z 納米 DRAM 工藝節點
- 根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預估，美光的該項新產品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區內建立量產產線。
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美光 10納米 DRAM
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料，造成存儲器產業下游模組廠出現提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發使得業界盛傳存儲器價格將反轉，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經連續三個季度快速下滑，下游
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日韓貿易戰 東芝 DRAM/NAND
- 在中美貿易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內存儲方隊既要面對技術、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場勢弱，存儲大幅降價的風險，迎難而上，逆勢擴張。 國際半導體產業降溫 6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產業鏈的建設。而如果放眼國際，此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張。 據美國半導體行業協會官網最新統計，5月全球半
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半導體 存儲 DRAM
- 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產能的計劃，并迅速轉向更先進的工藝技術。
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美光 DDR5 DRAM
- 6月30日，紫光集團發布公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業群，全力加速發展國產內存。
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紫光 DRAM 閃存
- DRAM價格第2季大幅走跌，根據供應鏈透露，6月起DRAM顆粒現貨價格再度走跌，主流交易規格的8Gb顆粒正式跌破3美元關卡。
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三星電子 SK海力士 美光 南亞科 DRAM
- 半導體無所不在，舉凡汽車、家電、手機到戰斗機，皆少不了半導體這玩意。半導體為韓國最具代表性產業，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業陷入危機外，韓國經濟前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導體事業將采取何種策略令人好奇。
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三星 DRAM SDI
- 作為占據全球DRAM內存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個行業。前幾年內存價格持續暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業利潤暴跌了超過60％。
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DRAM 16nm 三星電子
- 全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM為非揮發性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數據不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開。 其
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MRAM DRAM
- Mar. 25, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續至第三季。 根據DRAMeXchange調查，DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經普遍超過六周 (含wafer
bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務器以及PC客戶端甚至超過七周。 進
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集邦咨詢 DRAM
- 根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發展半導體產業，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續技術精進下，加上美國對知識產權的嚴密保護，其目的將難以達成。 報導指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術上領先的長江存儲(YMTC)發布了自行研發的32層堆疊產品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產品，直接發展128層堆疊的產品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經推出了32層堆疊的NANDFlash快
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DRAM NANDFlash
- 近日，半導體產業市場調研品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)公布的最新的存儲芯片行業調研報告顯示，DRAM跌價幅度超過預期，創8年以來最大跌幅。一度被調侃為“價格跑贏了房價”的內存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現。
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存儲 DRAM
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