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SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
Derive simple high-current source from lab sup
- Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
- 關鍵字： high-current Derive simple source
半導體設備業研發經費拮據 聯盟關系將成救星
- 市場研究機構Gartner警告，半導體設備產業的研發預算恐怕在接下來的五年內大幅削減80億美元，使該產業領域陷入危機。不過該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發聯盟的興起將成為救星。 缺乏適當的投資將導致技術藍圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰的準備;在目前營收低迷的情況下，半導體設備業正面臨著如此的危機點。不過Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產業聯盟的建立，而這些結盟關系在某些程度上減輕了業者因營收減少對研發所帶來的沖擊。 Fr
- 關鍵字： 半導體設備 通孔硅 high-k金屬閘極
high-k介紹
High-K究竟是什么神奇的技術？這要從處理器的制造原料說起。
由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善晶體管效能，因此過去40余年來，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作閘極電介質的材料。
當英特爾導入65納米制造工藝時，雖已全力將二氧化硅閘極電介質厚度降低至1.2納米，相當于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時，耗電和 [ 查看詳細 ]
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