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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate

　　外媒報(bào)道稱，GE日前透露，它已將其傳統(tǒng)照明業(yè)務(wù)和其新型照明和能源部門Current更緊密地結(jié)合在一起，同時也正在為這兩項(xiàng)業(yè)務(wù)尋找買家。　　GE上月末公開了其2017年第四季度的財(cái)報(bào)。從報(bào)表上看，GE四季度的整體收入下降了5%。其中，照明業(yè)務(wù)的收入下降了7%，從2016年第四季度的5.84億美元下滑至5.46億美元。　　　　這家陷入困境的企業(yè)還在其第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告中發(fā)布了一條腳注，稱該公司目前正在將Current和其他照明業(yè)務(wù)的收入作為一個部門來算，即照明業(yè)務(wù)部門。　
關(guān)鍵字： GE Current

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
關(guān)鍵字：制作音箱監(jiān)聽 A4 High-end

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
關(guān)鍵字：制作方法音箱監(jiān)聽 A4 High-end

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：安森美 ADS High-QIPD 高電阻率硅銅

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝knmiddot;f33middot;VB
上式中，k
關(guān)鍵字：監(jiān)聽音箱 A4 High-end 制作如何

　　摘要：精密電流顯示讓你變換一個4 - 20mA的變送器類型到另一個，或者創(chuàng)造一個擴(kuò)大了電流環(huán)的長度的目的，中繼器。該電路包括一個input-sink/output-sink，一input-source/output-source?！　? - 20mA的工業(yè)電流
關(guān)鍵字：放大器配置電路 current-sink/source 電流精密

Abstract: This precision constant-current sink produces a current of 1mA with a compliance range of 0.7V to 50V, and a dynamic output impedance of 106 ohms. It is stable with any load type (resistive
關(guān)鍵字： close-to-the-rail compliance wide provides constant-current

Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
關(guān)鍵字： high-current Derive simple source

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝kn?f33?VB
上式中，kn是箱體系數(shù)，
關(guān)鍵字：音箱方法監(jiān)聽 A4 High-end 制作

　　市場研究機(jī)構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機(jī)。不過該機(jī)構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。　　缺乏適當(dāng)?shù)耐顿Y將導(dǎo)致技術(shù)藍(lán)圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備;在目前營收低迷的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正面臨著如此的危機(jī)點(diǎn)。不過Freeman卻認(rèn)為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營收減少對研發(fā)所帶來的沖擊。　　Fr
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備通孔硅 high-k金屬閘極

　　ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開發(fā)活動。 ASM 在2009年第2季將針對進(jìn)階節(jié)點(diǎn)開發(fā)計(jì)劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。　　納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)成功的high-K制程
關(guān)鍵字： ASM high-k 晶圓

　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶提供最長可達(dá)2400公尺的長距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線架構(gòu)，搭配高達(dá)十余種I/O及運(yùn)動控制模塊的組合，提供客戶實(shí)時控制的完整解決方案。　　　　凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠(yuǎn)程I/O實(shí)時控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對接線的
關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制凌華汽車電子通訊網(wǎng)絡(luò) 無線延伸模塊工業(yè)控制

音訊內(nèi)容保護(hù) (Content Protection) 技術(shù)與透過傳統(tǒng)電話的Skype應(yīng)用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應(yīng)用瑞昱半導(dǎo)體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準(zhǔn)音訊轉(zhuǎn)換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內(nèi)建內(nèi)容保護(hù)與防拷&nbs
關(guān)鍵字： High Definition 音訊轉(zhuǎn)換瑞昱通訊與網(wǎng)絡(luò) 芯片