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這一次，三星被臺積電卡脖子了
- 在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺積電是純粹的競爭關(guān)系，但在存儲芯片市場，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達惹的禍。據(jù) DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內(nèi)存尚未通過英偉達的測試，仍需要進一步驗證，這是因為卡在了臺積電的審批環(huán)節(jié)。作為英偉達 AI GPU 芯片的制造和封裝廠，臺積電是英偉達驗證環(huán)節(jié)的重要參與者。據(jù)悉，臺積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)定的檢測標準，而三星的 HBM3E 產(chǎn)品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環(huán)節(jié)采用了 MR-MUF
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臺積電準備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片
- 在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標準從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進的封裝方法，以適應(yīng)更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
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顛覆性的HBM4
- 一位業(yè)內(nèi)人士表示，「『半導(dǎo)體游戲規(guī)則』可能在 10 年內(nèi)改變，區(qū)別存儲半導(dǎo)體和邏輯半導(dǎo)體可能變得毫無意義」。HBM4，魅力為何如此？技術(shù)的突破2023 年，在 AI 技術(shù)應(yīng)用的推動下，數(shù)據(jù)呈現(xiàn)出爆炸式的增長，大幅度推升了算力需求。據(jù)悉，在 AI 大模型領(lǐng)域，未來 AI 服務(wù)器的主要需求將從訓(xùn)練側(cè)向推理側(cè)傾斜。而根據(jù) IDC 的預(yù)測，到 2026 年，AIGC 的算力 62.2% 將作用于模型推理。同時，預(yù)計到 2025 年，智能算力需求將達到當前的 100 倍。據(jù)悉，自 2015 年以來，從 HBM1 到
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存儲器大廠：HBM4，2025年供貨！
- 人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺前，市場需求持續(xù)看漲。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢，可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計算場景，因而備受青睞，存儲大廠也在積極推動HBM技術(shù)迭代。存儲大廠持續(xù)發(fā)力，三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問世至今，HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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三星正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨
- 三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據(jù)韓媒，三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。他透露，三星電子還準備針對高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的NCF（非導(dǎo)電粘合膜）組裝技術(shù)和HCB（混合鍵合）技術(shù)，以應(yīng)用于該產(chǎn)品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù)，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業(yè)務(wù)團隊，以加強尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門之間的協(xié)同作用。
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HBM4將迎來大突破？
- AI大勢下，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺前，備受存儲市場關(guān)注。近期，媒體報道下一代HBM將迎來重大變化，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。自2015年以來，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。另據(jù)韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計2026年量產(chǎn)HBM4。盡管HBM4將有大突破，但它不會很快到來。當前HBM市場以HBM2e為主，未來HBM3將挑起大梁。全球市場研究機
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傳三星預(yù)計2026年量產(chǎn)新一代HBM4
- 據(jù)韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數(shù)為每顆芯片1024個，擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
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