通過在ECC-off模式下的較大工作溫度范圍（-40至125℃）內實現封裝級產品功能和可靠性，我們展示了適用于工業級MCU和物聯網(IoT)應用且可用于生產的22nm FD-SOI嵌入式MRAM (eMRAM)產品。我們對磁隧道結(MTJ)堆疊、集成和蝕刻工藝進行了優化，使其符合400℃ BEOL和HPD2后退火工藝要求，并實現MTJ性能，從而滿足所有產品要求。從封裝級數據可以確認，eMRAM產品通過了標準可靠性測試，如LTOL（168小時）、HTOL（500小時）、1個月周期耐久性測試以及5次焊料回流測
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半導體制造 eFlash
聯華電子今日(22日)宣佈已採用0.11微米eFlash製程量產觸控IC應用產品。此特殊技術最初于2012年底于聯華電子推出，是為晶圓專工業界第一個結合12V與純鋁后段(BEoL)製程，以因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，以便用于各尺寸觸控螢幕產品的微控制器時，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件，并可達到更高效能。
聯華電子市場行銷處資深處長黃克勤表示：「觸控面板已是今日電子產品主流的操作介面。聯華電子觸控平臺解決方案其
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聯華電子 eFlash
瑞薩電子(Renesas Electronics)已開發全新快閃記憶體技術，可達到更快的讀取與覆寫速度。這項新的技術是針對采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器(MCU)所設計。
為因應近來的環境議題，世界各國對于汽車性能的法規(CO2排放、燃油效率及廢氣)皆日趨嚴格。因此，傳動系統必須支援新的引擎控制方法。此外，先進駕駛輔助系統(ADAS)現在希望能創造安全、防護及舒適的汽車體驗。為因應上述市場需求，汽車MCU必須進一步提升效能，甚至進一步降低
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瑞薩 eFlash
聯華電子與ASIC設計服務領導廠商智原科技今日(12日)共同發表，在聯電55納米低功耗嵌入式閃存(embedded flash, eFlash)制程的基礎硅智財組件庫(cell library)、內存編譯程序(memory compiler)，以及關鍵接口IP等。這套完整的55納米eFlash解決方案可同時滿足市場對低功耗與高密度的設計需求，尤其適用于各種物聯網(IoT, Internet of Things)與穿戴裝置(wearable devices)等應用。
對于需要長時間待機的電子裝置，
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聯華電子 eFlash
聯華電子近日宣布，已順利驗證晶圓專工業界第一個結合12V解決方案的高壓嵌入式閃存(eFlash)工藝。此工藝可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動高壓，以及存放算法所需的eFlash，結合于同一顆高整合度的單芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。
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聯華電子 晶圓 eFlash
搶在臺積電之前，聯電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發布首款采用65奈米嵌入式快閃(Embedded Flash,eFlash)制程技術生產的現場可編程門陣列(FPGA)平臺，讓eFlash制程技術順利邁入65奈米世代，對其未來進一步拓展汽車、工業、醫療及航天等半導體市場將大有幫助。
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聯電 eFlash
現在，汽車行業的創新幾乎完全由智能電子技術驅動，很多情況下這也是唯一可以實現新功能特性的途徑。如今，一個裝 ...
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MCU eFlash 汽車
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