- 2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
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意法半導體 PowerGaN 氮化鎵 GaN
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