- PRAM內存的處理速度遠遠快于閃存，理論上其寫入數據速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲器以及功能更強大的電子設備的出現成為可能。 三星電子、IBM、奇夢達、意法半導體以及英特爾公司，都在積極進行PRAM存儲產品的研發。 全球最大的存儲芯片制造商三星公司稱，PRAM產品的生產流程也比NOR flash產品簡單許多，三星公司于去年開發出了512MB的PRAM產品，預計最早可在2008年實現量產。 此外，IBM與多家內存廠商合作，共同開發出一
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模擬技術 電源技術 現代 Ovonyx PRAM MCU和嵌入式微處理器
- Ovonyx公司與奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢達的相變隨機存取存儲器（PCRAM）相關技術專利及知識產權的內存產品，簽訂長期交叉許可協議。根據該協議規定，Ovonyx公司將大力支持奇夢達相變內存產品開發項目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發明并率先開發了PCRAM技術，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內存設備、材料、加工、設計、模型制造和性能優化。Ovonyx PCRAM技術采用可逆相變
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Ovonyx 單片機 奇夢達 嵌入式系統 相變內存技術 許可協議 存儲器
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