- 臺積電本周在舊金山舉行的 IEEE 國際電子設備會議 （IEDM） 上介紹了其下一代晶體管技術。N2 或 2 納米技術是這家半導體代工巨頭首次涉足一種新的晶體管架構，稱為納米片(Nanosheet)或全環繞柵極。三星有制造類似設備的工藝，英特爾和臺積電都預計在 2025 年生產它們。與臺積電目前最先進的工藝 N3（3 納米）相比，這項新技術可將能效提高 15% 或提高 30%，同時將密度提高 15%。N2是“四年多的勞動成果”，臺積電研發和先進技術副總裁Geoffrey Ye
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TSMC 納米片晶體管 英特爾 Nanosheet
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