- 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
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意法半導體 MDmesh MOSFET
- 意法半導體的MDmesh? DM6 600V
MOSFET含有一個快速恢復體二極管，將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉換器等通常需要一個穩定可靠的二極管來處理動態dV/dt的應用和拓撲結構里。 MDmesh DM6
MOSFET利用意法半導體先進的載流子壽命控制技術減少反向恢復時間(trr)，最大限度地降低續流后關斷期間二極管的耗散功率。優化的恢復軟度增強了產品可靠性。此外，極低的柵極電荷(Qg)和導通電阻(RDS
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意法半導體 MDmesh
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