• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
    EEPW首頁 >> 主題列表 >> inp

    inp 文章 最新資訊

    SEMICON China | 探討熱點與前沿技術 ,功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦

    • 11月1-2日,SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產業鏈領先企業的講師親臨現場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括:開幕演講,化合物半導體與光電及通訊,寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示:“在大家的支持下,功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦,今年已經是第七屆。在嚴格遵守防疫規定的前提下,希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經歷風雨,怎么能
    • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  InP  

    2×8低噪聲InGaAs/InP APD讀出電路設計

    • 對In0.53Ga0.47As/InP雪崩光電二極管(APD)探測器進行了特性分析。以大陣列研究為基礎,結合器件特性設計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC),電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關雙采樣(CDS)電路單元構成,并對讀出電路的時序、積分電容等進行了設計。電路采用0.6 μm CMOS工藝流片,芯片面積為2 mm×2 mm,電荷存儲能力為5×107個,功耗小,噪聲低,設計達到預期要求。
    • 關鍵字: InGaAs  APD  InP  低噪聲    
    共2條 1/1 1

    inp介紹

    您好,目前還沒有人創建詞條inp!
    歡迎您創建該詞條,闡述對inp的理解,并與今后在此搜索inp的朋友們分享。    創建詞條

    熱門主題

    LINPO-PS    樹莓派    linux   
    關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
    Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
    《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
    備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473
    主站蜘蛛池模板: 丘北县| 镇雄县| 丹江口市| 通河县| 芷江| 大冶市| 剑阁县| 即墨市| 望谟县| 庆阳市| 安化县| 泰和县| 铁岭县| 西青区| 镇原县| 临颍县| 常德市| 芜湖市| 敦化市| 丽江市| 舒城县| 镇安县| 静乐县| 讷河市| 乐平市| 德庆县| 堆龙德庆县| 济阳县| 凤山市| 康马县| 峨边| 和顺县| 通河县| 陆河县| 静宁县| 虎林市| 洛隆县| 曲周县| 读书| 全椒县| 信丰县|