- 德國的研究人員報告說，在分子束外延 （MBE） 期間使用的表面平滑技術提高了砷化銦 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化鎵 （GaAs） 襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。來自柏林洪堡大學、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的團隊評論道：“隨著表面平滑的引
- 關鍵字：
GaAs InAs 量子阱 遷移率
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