東芝電子(中國)有限公司(以下簡稱“東芝”)宣布，將參加2018年6月26日至28日于上海世博展覽館舉辦的上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia 2018)，本次展會上東芝將在2號館E01展位向現場觀眾展示其面向電力能源方面提供的尖端技術、產品以及系統級解決方案。 日前，國際能源署及聯合國聯合發布的《追蹤可持續發展目標七：能源進展情況報告》中提及，中國對全球能耗降低做出了最大貢獻，貢獻率超過35%，作為可再生、無污染的清潔能源，中國的風能、太陽能資源非常豐富，得益于中國政府采取的
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東芝電子 IEGT
東芝大功率器件有悠久的歷史，從上世紀六十年代開始生產可控硅器件，上世紀八十年代在全球范圍內率先實現IGBT器件商業化，在上世紀九十年代率先商業化了壓接型的IGBT器件(PPI：Press Pack IGBT)，目前已經開發了混合型SiC大功率器件并且得到商業應用，后續將推出純SiC大功率器件。
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東芝 大功率器件 IEGT
“東芝媒體沙龍”今天在京舉行。東芝電子(中國)公司三大業務部門介紹了其優勢產品及在華戰略。
閃存：看好工業和汽車，明年量產64層3D NAND Flash
存儲業務市場部高級經理張會波稱，閃存中工業和汽車類增長很快。過去東芝主要面向手機和SSD卡，今后將轉型，在工業和汽車領域發力。
隨著芯片制程工藝接近極限，下一代主攻3D。很多人誤解，認為東芝在3D方面走得較慢，實際上，東芝希望技術路線走得更加穩妥、保守，盡管東芝有32層產品，但主打48層3D NAND，
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東芝 IEGT
東芝在工業領域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關產品。這些產品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業變頻、電動汽車等工業領域，這些領域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高。 東芝是全球第一個商業化生產IGBT器件的廠家，率先導入了“門級注入增強”技術以降低IGBT靜態損耗，用該技術注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”。 東芝電子(中國)公司副董事長野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產品系列。通過使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
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IEGT SiC
日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。 展示產品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發出“注入增強”(IE：Inject
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東芝 IEGT SiC
日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。 東芝電子將展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產品、Stack(壓接裝置)產品、SiC(混合型IEGT)產品、IPD +
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東芝 PCIM IEGT
IGBT與集成門極換流晶閘管IGCT對比受當前技術水平限制，IGBT的工作電流相對較小，比較常用的中高壓大功率IGBT有...
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IGBT IGCT IEGT
iegt介紹
IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結構實現了低通態電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅動智能化等特點，以及采用溝槽結構和多芯片并聯而自均流的特性，使其在進一步擴大電流容量方面頗具潛力 [
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